[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310561295.5 | 申請日: | 2013-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN104638168A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;王平;馮小明 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機電致發光器件技術領域,尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
目前,有機電致發光器件(OLED)存在壽命較短的問題,這主要是由于侵入的氧氣及水汽造成的。一方面,氧氣是淬滅劑,會使發光量子效率顯著下降,同時,氧氣會與發光層發生氧化作用,生成的羰基化合物也是有效的淬滅劑;另一方面,水汽的影響更顯而易見,它的主要破壞方式是使得器件內的有機化合物發生水解作用,同時也會與金屬陰極發生反應,使其穩定性大大下降,從而導致器件失效,降低使用壽命。因此,為了有效抑制有機電致發光器件(OLED)在長期工作過程中的退化和失效,以使穩定工作達到足夠的壽命,起密封保護作用的封裝技術就成了解決有機電致發光器件(OLED)壽命問題的一個突破點,同時,這對封裝材料的阻隔性提出了極高的要求。
常用的有機電致發光器件(OLED)的封裝技術是在基底上采用蓋板封裝,蓋板封裝還需用密封膠對蓋板和基底進行密封。密封膠的多孔性使得氧氣和水汽很容易滲入器件內部,因此采用這種封裝方式時一般還需要在器件內加入干燥劑。隨著器件內的干燥劑吸附大量的氧氣和水汽,使得干燥劑在短時間內失去了吸收能力,導致器件內逐漸積聚氧氣和水汽,從而使得器件的壽命顯著下降;其中通常采用的玻璃蓋板或金屬蓋板為脆性材料,易產生裂紋,制得器件會顯得十分厚重,不適用于柔性器件。因此,如何減少氧氣和水汽對器件的滲透,提高器件的壽命,尤其是提高柔性器件的壽命已成為當今技術人員所要急切解決的問題之一。
發明內容
為解決上述問題,本發明第一方面提供了一種有機電致發光器件,即在陰極表面上設置封裝層;本發明提供的封裝層具有很高的致密性,有效地減少了外部的氧氣、水汽等活性物質對有機電致發光器件內的有機化合物及電極的侵蝕,防水性能(WVTR)達到了5.85×10-6g/m2·day左右,從而對有機電致發光器件形成了有效的保護,提高了器件的壽命,尤其是柔性器件的壽命,使得器件的壽命達到了15500小時以上(T70@1000cd/m2);本發明第二方面還提供了一種有機電致發光器件的制備方法,該制備方法工藝簡單,易大面積制備,對器件的結構和物理性質影響小,制成的膜的厚度、致密性和均勻性好,同時避免了有害物質的污染。
第一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,包括陽極導電基底以及在所述陽極導電基底表面上依次層疊設置的有機發光功能層、陰極和封裝層;所述封裝層包括在所述陰極表面上依次層疊設置的氧碳化硅膜層和無機阻擋層;所述氧碳化硅膜層的材質為氧碳化硅化合物(SiOxCy,其中0.01<x≤1.5,0.01<y≤0.8,0.5<x+y<2);所述無機阻擋層的材質為氧化鈹(BeO)、氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)、氧化鍶(SrO)或者氧化鋇(BaO)。
無機阻擋層的材質可以提高膜層的致密性,并且還可以通過與外界進入的水汽形成水合物,阻止水汽進入器件內,同時無機阻擋層中氧化物內部的氧離子空位可以捕獲氧氣,因此無機阻擋層具有良好的氧氣與水汽的阻隔能力;氧碳化硅膜層中的氧碳化硅的分子結構同時具有無機和有機的功能基團,使得氧碳化硅化合物具有無機物的高阻隔性以及有機物的粘連性和柔韌性,可以提高無機阻擋層的阻隔性的同時,還可以改善無機阻擋層的粘附性,并且還可以有效地減小膜層之間的應力。
優選地,所述氧碳化硅膜層的厚度為200nm~300nm;所述無機阻擋層的厚度為15nm~20nm。
優選地,所述氧碳化硅膜層和所述無機阻擋層形成一個封裝單元,所述封裝層由3~5個所述封裝單元層疊而成。
封裝層包括多個由氧碳化硅膜層和無機阻擋層組成的封裝單元,增加了無機阻擋層中針孔的平均長度,氧碳化硅也更有效地填補了無機阻擋層中的針孔,因此降低了針孔對于封裝的影響,使得封裝層具有了很高的致密性,更有效地提高了封裝層的阻隔性。
優選地,所述陽極導電基底為導電玻璃基底、導電金屬基底或導電塑料基底。
更優選地,所述導電玻璃基底的材質為銦錫氧化物(ITO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(IZO);
所述導電塑料基底的材質為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚砜醚(PES)、聚對萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亞胺(PI)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





