[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310561295.5 | 申請日: | 2013-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN104638168A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;王平;馮小明 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,包括陽極導電基底以及在所述陽極導電基底表面上依次層疊設置的有機發光功能層、陰極和封裝層,其特征在于,所述封裝層包括在所述陰極表面上依次層疊設置的氧碳化硅膜層和無機阻擋層;所述氧碳化硅膜層的材質為氧碳化硅化合物;所述無機阻擋層的材質為氧化鈹、氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶或者氧化鋇。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述氧碳化硅膜層的厚度為200nm~300nm;所述無機阻擋層的厚度為15nm~20nm。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述氧碳化硅膜層和所述無機阻擋層形成一個封裝單元,所述封裝層由3~5個所述封裝單元層疊而成。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述陽極導電基底為導電玻璃基底、導電金屬基底或導電塑料基底。
5.根據權利要求4所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述導電玻璃基底的材質為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物;
所述導電塑料基底的材質為聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚砜醚、聚對萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺。
6.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述有機發光功能層包括發光層,以及包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一種。
7.一種有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)首先在潔凈的導電基底表面上制備有機電致發光器件的陽極圖形形成陽極導電基底,然后采用真空蒸鍍的方法在所述陽極導電基底表面上依次制備有機發光功能層和陰極;
(2)在所述陰極表面上制備封裝層,所述封裝層包括在所述陰極上依次層疊設置的氧碳化硅膜層和無機阻擋層,制備方法如下:
a)氧碳化硅膜層的制備:采用等離子體增強化學氣相沉積法在所述陰極表面上制備氧碳化硅膜層,工作壓強為10Pa~50Pa,沉積溫度為40℃~60℃,射頻功率為100W~300W;所述氧碳化硅膜層的材質為氧碳化硅化合物;所述沉積氧碳化硅膜層的過程中采用的氣源為六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷和四乙氧基硅烷中的一種以及一氧化二氮,載入氣體為氬氣;所述六甲基二硅氧烷、所述四甲基硅烷和所述四乙氧基硅烷的流量均為20sccm~25sccm,所述一氧化二氮、氬氣混合氣體的流量為20sccm~50sccm,所述一氧化二氮的流量與所述一氧化二氮、氬氣混合氣體流量的比值為R,R值為40%~60%;
b)無機阻擋層的制備:采用原子層沉積法在所述碳氮化硅膜層表面上制備無機阻擋層,工作壓強為10Pa~50Pa,沉積溫度為40℃~60℃;所述無機阻擋層的材質為氧化鈹、氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶或者氧化鋇;所述沉積無機阻擋層的過程中采用的前驅體為雙(乙基環戊二烯)鈹、雙(乙基環戊二烯)鎂、雙(乙基環戊二烯)鈣、雙(乙基環戊二烯)鍶或者雙(乙基環戊二烯)鋇中的一種雙(乙基環戊二烯)物和水蒸氣;所述雙(乙基環戊二烯)物和水蒸氣的注入時間均為10ms~20ms,注入所述雙(乙基環戊二烯)物與注入所述水蒸氣之間間隔5s~10s注入氮氣作為凈化氣體;所述雙(乙基環戊二烯)物、所述水蒸氣和所述氮氣的流量均為10sccm~20sccm。
8.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述氧碳化硅膜層的厚度為200nm~300nm;所述無機阻擋層的厚度為15nm~20nm。
9.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述氧碳化硅膜層和所述無機阻擋層形成一個封裝單元,依次按步驟(a)、(b)順序交替重復步驟(2)3~5次,制備得到由3~5個所述封裝單元重復形成的封裝層。
10.根據權利要求7所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述陽極導電基底為導電玻璃基底、導電金屬基底或導電塑料基底。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





