[發明專利]一種繞線貼片電感電極面的真空多弧磁控鍍膜方法

無效

• 申請號: 201310561177.4
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN103590012A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 黃雄鋒;馬福喜;歐陽熾洪;孫少林
• 申請（專利權）人: 孫少林
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;H01F41/00
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

技術領域

本發明涉及一種真空多弧磁控鍍膜方法，特別涉及一種繞線貼片電感電極面的真空多弧磁控鍍膜方法。?

背景技術

目前的真空鍍膜技術都用于五金、陶瓷、玻璃裝飾膜加工較多，近年也慢慢對工具高溫氮化加硬膜較為普遍，在電子元件行業為較少，多用于一些簡導電性的復合膜層，以現有的鍍膜設備條加電感電極都達不理想的效果。?

現在傳統的電感電極面都是采用化學水鍍的方法生產加工而成，而化學水鍍眾所周知對環境的污染是存在污染的，繞線電感的規格多且應用非常廣泛，每天都有成千億上萬億的市場需求量，因此對這些繞線貼片電感進行化學水鍍會對環境造成相當嚴重的污染。?

另一方面，傳統化學水鍍鍍制的膜層用錫焊接后只能達到2公斤左右的推力，超過2公斤力就容易脫落，對于高要求附著力設備電子電路：如車載、航空等運動設備來說就達不到要求。?

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一種繞線貼片電感電極面的真空多弧磁控鍍膜方法，替代傳統的化學水鍍方法，減少環境污染，并且增加膜層用錫焊接后的牢固度。?

為實現上述目的，繞線貼片電感電極面的真空多弧磁控鍍膜方法，包括以下步驟：?

步驟一、將繞線貼片電感的磁蕊采用夾具進行封裝，露出待鍍膜的電極面；?

步驟二、將封裝好的磁蕊送入真空室，真空室的真空度不小于5.0×10^-3帕，同時室內溫度加至260～300℃后，向真空室內充入氬氣，使真空室內壓力保持在2帕，進行離子轟擊清洗6～10分鐘；?

步驟三、清洗后的磁蕊進入第一鍍膜室，充入氬氣使第一鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至150V～250V，占空比調至30％～80％，再開啟多弧靶鍍鉻，靶電流為50A～80A，鍍膜時間為4～10分鐘；?

步驟四、再進入第二鍍膜室，充入氬氣使第二鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟多弧靶鍍鉻，靶電流為50A～80A，鍍膜時間為4～10分鐘；?

步驟五、再進入第三鍍膜室，充入氬氣使第三鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍鎳鉻合金，鎳鉻合金的鎳鉻比例為8∶2，靶電流為25A～40A，鍍膜時間為4～10分鐘；?

步驟六、鍍鎳鉻合金完畢后進入第四鍍膜室，充入氬氣使第四鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍鎳，靶電流為25A～40A，鍍膜時間為4～10分鐘；?

步驟七、鍍鎳完畢后再進入第七鍍膜室，充入氬氣使第七鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍銀，靶電流為1～3A，鍍膜時間為4～10分鐘；?

步驟八、鍍銀完畢后，進入真空緩沖室進行冷卻，直至溫度降到100℃以下充入空氣出爐，電極面鍍制完畢。?

優選地，所述步驟一中的繞線貼片電感的磁蕊采用夾具進行封裝前，先將所述磁蕊進行除油清洗，然后用超純水漂洗干凈，再放入烤箱中烘干水分。?

優選地，經過所述步驟六中的第四鍍膜室進行鍍鎳后再進入第五鍍膜室，充入氬氣使第五鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍鎳，靶電流為25A～40A，鍍膜時間為4～10分鐘。?

優選地，經過所述第五鍍膜室進行鍍鎳后再進入第六鍍膜室，充入氬氣使第六鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍鎳，靶電流為25A～40A，鍍膜時間為4～10分鐘。?

采用本發明的繞線貼片電感電極面的真空磁控鍍膜方法，完全能代替化學水鍍生產，不但對環境沒有任何的污染，而且鍍膜后的繞線貼片電感電極焊接的牢固度是傳統化學水鍍的2～3倍，其膜層用錫焊接后能承受6～8公斤推力，對于高要求附著力設備電子電路：如車載、航空等運動設備是完全可以達到要求。?

具體實施方式