[發明專利]一種繞線貼片電感電極面的真空多弧磁控鍍膜方法

無效

• 申請號: 201310561177.4
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN103590012A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 黃雄鋒;馬福喜;歐陽熾洪;孫少林
• 申請（專利權）人: 孫少林
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;H01F41/00
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種繞線貼片電感電極面的真空多弧磁控鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、將繞線貼片電感的磁蕊采用夾具進行封裝，露出待鍍膜的電極面；

步驟二、將封裝好的磁蕊送入真空室，真空室的真空度不小于5.0×10^-3帕，同時室內溫度加至260～300℃后，向真空室內充入氬氣，使真空室內壓力保持在2帕，進行離子轟擊清洗6～10分鐘；

步驟三、清洗后的磁蕊進入第一鍍膜室，充入氬氣使第一鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至150V～250V，占空比調至30％～80％，再開啟多弧靶鍍鉻，靶電流為50A～80A，鍍膜時間為4～10分鐘；

步驟四、再進入第二鍍膜室，充入氬氣使第二鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟多弧靶鍍鉻，靶電流為50A～80A，鍍膜時間為4～10分鐘；

步驟五、再進入第三鍍膜室，充入氬氣使第三鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍鎳鉻合金，鎳鉻合金的鎳鉻比例為8∶2，靶電流為25A～40A，鍍膜時間為4～10分鐘；

步驟六、鍍鎳鉻合金完畢后進入第四鍍膜室，充入氬氣使第四鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍鎳，靶電流為25A～40A，鍍膜時間為4～10分鐘；

步驟七、鍍鎳完畢后再進入第七鍍膜室，充入氬氣使第七鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍純銀，靶電流為1～3A，鍍膜時間為4～10分鐘；

步驟八、鍍銀完畢后，進入真空緩沖室進行冷卻，直至溫度降到100℃以下充入空氣出爐，電極面鍍制完畢。

2.如權利要求1所述的繞線貼片電感電極面的真空多弧磁控鍍膜方法，其特征在于，所述步驟一中的繞線貼片電感的磁蕊采用夾具進行封裝前，先將所述磁蕊進行除油清洗，然后用超純水漂洗干凈，再放入烤箱中烘干水分。

3.如權利要求1或2所述的繞線貼片電感電極面的真空多弧磁控鍍膜方法，其特征在于，經過所述步驟六中的第四鍍膜室進行鍍鎳后再進入第五鍍膜室，充入氬氣使第五鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍鎳，靶電流為25A～40A，鍍膜時間為4～10分鐘。

4.如權利要求3所述的繞線貼片電感電極面的真空多弧磁控鍍膜方法，其特征在于，經過所述第五鍍膜室進行鍍鎳后再進入第六鍍膜室，充入氬氣使第六鍍膜室的真空度保持在3.0～5.0×10^-1帕，開啟偏壓，電壓調至80V～150V，占空比調至30％～60％，開啟直流磁控靶鍍鎳，靶電流為25A～40A，鍍膜時間為4～10分鐘。