[發(fā)明專利]一種光刻膠剝離液

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310561003.8
• 申請日: 2013-11-12
• 公開（公告）號: CN104635438B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設計）人: 劉兵;何春陽;孫廣勝;黃達輝
• 申請（專利權(quán)）人: 安集微電子科技（上海）股份有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京大成律師事務所 11352
• 代理人: 李佳銘

本發(fā)明涉及一種光刻膠剝離液，包含季胺氫氧化物，環(huán)氧類有機溶劑，以及除所述環(huán)氧類有機溶劑以外的其它溶劑，該所述環(huán)氧類有機溶劑是指含有結(jié)構(gòu)式I的環(huán)氧有機溶劑：本發(fā)明的清洗液在有效去除晶圓上的光阻殘留物的同時，對于基材如金屬鋁、銅等基本無腐蝕，在半導體晶片清洗等領(lǐng)域具有良好的應用前景。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明公開了一種光刻膠剝離液及其應用。

背景技術(shù)

在通常的半導體制造工藝中，通過在一些材料的表面上形成光刻膠的掩膜，曝光后進行圖形轉(zhuǎn)移，在得到需要的圖形之后，進行下一道工序之前，需要剝?nèi)埩舻墓饪棠z。在這個過程中要求完全除去不需要的光刻膠，同時不能腐蝕任何基材。

目前，光刻膠清洗液主要由極性有機溶劑、強堿和/或水等組成，通過將半導體晶片浸入清洗液中或者利用清洗液沖洗半導體晶片，去除半導體晶片上的光刻膠。如JP1998239865公開了一種含水體系的清洗液，其組成是四甲基氫氧化銨（TMAH）、二甲基亞砜（DMSO）、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮（DMI）和水。將晶片浸入該清洗液中，于50～100℃下除去金屬和電介質(zhì)基材上的20μm以上的光刻膠；其對半導體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導體晶片上的光刻膠，清洗能力不足；又例如US5529887公開了由氫氧化鉀（KOH）、烷基二醇單烷基醚、水溶性氟化物和水等組成堿性清洗液，將晶片浸入該清洗液中，在40～90℃下除去金屬和電介質(zhì)基材上的光刻膠。其對半導體晶片基材的腐蝕較高。又例如US5480585公開了一種含非水體系的清洗液，其組成是乙醇胺、環(huán)丁砜或二甲亞砜和鄰苯二酚，能在40～120℃下除去金屬和電介質(zhì)基材上的光刻膠，對金屬基本無腐蝕。又例如US2005119142公開了一種含有烷氧基的聚合物、二丙二醇烷基醚、N-甲基吡咯烷酮和甲基異丁基酮的非水性清洗液。該清洗液可以同時適用于正性光刻膠和負性光刻膠的清洗。隨著半導體的快速發(fā)展，特別是凸球封裝領(lǐng)域的發(fā)展，對光刻膠殘留物的清洗要求也相應提高；主要是在單位面積上引腳數(shù)（I/O）越來越多，光刻膠的去除也變得越來越困難。由此可見，尋找更為有效的光刻膠清洗液是該類光刻膠清洗液努力改進的優(yōu)先方向。一般而言，提高堿性光刻膠清洗液的清洗能力主要是通過提高清洗液的堿性、選用更為有效的溶劑體系、提高操作溫度和延長操作時間幾個方面來實現(xiàn)的。但是，提高清洗液的堿性和操作溫度以及延長清洗時間往往會增加對金屬的腐蝕。一般而言，在凸點封裝領(lǐng)域涉及的金屬主要是銀、錫、鉛和銅四種金屬。近來，為了進一步降低成本提高良率，一些封裝測試廠商開始要求光刻膠清洗液也能進一步抑制金屬鋁的腐蝕。為了適應新的形勢，必須開發(fā)出一類光刻膠去除能力強，金屬鋁兼容的清洗液。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了提供一種有效地去除光阻殘留物的清洗液及其組成。該清洗液在有效去除晶圓上的光阻殘留物的同時，對于基材如金屬鋁、銅等基本無腐蝕，在半導體晶片清洗等領(lǐng)域具有良好的應用前景。

該新型清洗液含有：（a）季胺氫氧化物（b）環(huán)氧類有機溶劑（c）其它溶劑，各組分含量如下：

i.季胺氫氧化物0.1-6%；優(yōu)選0.5-3.5%；

ii.環(huán)氧類有機溶劑0.1-30%，優(yōu)選0.5-20%，更優(yōu)選1%-15%；

iii.余量是其它有機溶劑（64-99.8%）。

上述含量均為質(zhì)量百分比含量。

本發(fā)明中，季銨氫氧化物為選自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、十六烷基三甲基氫氧化銨和芐基三甲基氫氧化銨中的一種或多種。