[發明專利]一種半導體電容器的制造方法

有效

• 申請號: 201310557608.X
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN103606513A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 張翠
• 申請（專利權）人: 溧陽市江大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種半導體電容器的制造方法，其特征在于：

提供襯底，在襯底上形成金屬層-氧化硅層-氮化硅層-氧化硅層-金屬層（MONOM）的堆棧結構，以形成半導體電容器。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

其中，形成金屬層-氧化硅層-氮化硅層-氧化硅層-金屬層堆棧結構依次包括如下步驟：

（1）在襯底上濺射第一金屬電極層；

（2）在第一金屬電極層上淀積第一氧化硅層；

（3）在干氧環境中，通過熱氧化工藝在第一氧化硅層上形成第一致密氧化硅層；

（4）在第一致密氧化硅層上淀積形成氮化硅層；

（5）在干氧環境中，通過熱氧化工藝在氮化硅層上熱氧化形成第二致密氧化硅層；

（6）在第二致密氧化硅層上淀積形成第二氧化硅層；

（7）在第二氧化硅層上濺射形成第二金屬電極層；

（8）采用刻蝕工藝，形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽穿透第一氧化硅層、第一致密氧化硅層、氮化硅層、第二致密氧化硅層、第二氧化硅層和第二金屬電極層；所述第二凹槽僅穿入第二金屬電極層的一部分；

（9）在第一凹槽中淀積絕緣材料；然后對絕緣材料進行垂直刻蝕直至穿入第一金屬電極層的一部分，從而在第一凹槽的垂直側邊形成第一引出電極隔離層；

（10）在第一凹槽和第二凹槽中濺射金屬材料以形成第一引出電極和第二引出電極。

3.如權利要求2所述的方法，特征在于：

其中，第一氧化硅層、第一致密氧化硅層、第二致密氧化硅層和第二氧化硅層的總厚度與氮化硅層的厚度之比介于0.38至0.42之間，例如，第一氧化硅層的厚度為25-30nm，第一致密氧化硅層的厚度為5-10nm，氮化硅層的厚度為20-30nm；第二致密氧化硅層的厚度為5-10nm，第二氧化硅層的厚度為20-25nm。

4.如權利要求3所述的半導體電容器，特征在于：

第一引出電極穿入第一金屬電極層的一部分形成，穿入深度為第一金屬電極層厚度的1/3至1/2；第二引出電極穿入第二金屬電極層的一部分形成，穿入深度為第二金屬電極層厚度的1/2至2/3。