[發(fā)明專利]一種離子束減速裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310557475.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103779164A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬國(guó)宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J37/317 | 分類號(hào): | H01J37/317;H01J37/04 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113 | 代理人: | 馬強(qiáng) |
| 地址: | 101111 北京市通*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 離子束 減速 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造控制系統(tǒng),即注入機(jī),特別地,涉及一種用于低能大束流離子注入機(jī)的束流減速裝置。?
背景技術(shù)
集成電路制造技術(shù)及工藝是關(guān)乎國(guó)計(jì)民生的戰(zhàn)略性工程,對(duì)保障國(guó)家安全和增強(qiáng)綜合國(guó)力具有重大戰(zhàn)略意義,是一種高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)。集成電路芯片制造概括的來(lái)講就是將元器件做在極小半導(dǎo)體芯片上的過(guò)程。通常情況下,要完成集成電路芯片的制造過(guò)程需要數(shù)十種工藝設(shè)備的數(shù)百道工序。一條工藝線主要有曝光、刻蝕、離子注入、氧化、鍍膜等工藝,這些工藝多次循環(huán)往復(fù)進(jìn)行。離子注入技術(shù)與常規(guī)熱摻雜工藝相比具有高精度的劑量均勻性與重復(fù)性,橫向擴(kuò)散小等優(yōu)點(diǎn)。離子注入克服了常規(guī)工藝的限制,提高了電路的集成度、速度、成品率和壽命,降低了成本和功耗,因此離子注入機(jī)廣泛用于摻雜工藝,當(dāng)代VLSI、ULSI等工藝重要特征之一就是“全離子注入”。離子注入對(duì)控制半導(dǎo)體的摻雜剖面,結(jié)深,保證器件各項(xiàng)電參數(shù)非常重要。?
經(jīng)過(guò)對(duì)低能大束流項(xiàng)目的指標(biāo)參數(shù)和工藝要求分析,但由于工藝技術(shù)和工藝特點(diǎn)不同,為了低能大束流的離子束,得到更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,所以需要對(duì)離子束減速,通過(guò)減速裝置產(chǎn)生的電場(chǎng)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)帶正電荷的離子束減速。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開(kāi)了一種離子束流減速裝置,可用于低能大束流離子注入機(jī)系統(tǒng);為了獲得較低能量的離子束。?
本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):?
1.一種離子束減速裝置,離子束減速裝置主要用于低能大束流離子注入機(jī)離子束的一級(jí)減速,該裝置包括過(guò)渡連接塊(1),連接塊(2),減速電極防護(hù)板(3),減速電極基板(4),終端電極(5),終端電極側(cè)板(6),絕緣陶瓷(7),聚集電極側(cè)板(8),聚集電極(9),聚集電極安裝板(10),抑制電極(11),地電極(12),地電極安裝板(13),抑制電極安裝板(14),抑制電極安裝條(15),聚集電極安裝條(16),抑制電極短接條(17),接線柱(18),聚焦電極短接條(19),其特征在于對(duì)離子束進(jìn)行減速,用以獲得低能的離子束流。?
2.一種離子束減速裝置,其特征在于:其中終端電極(5)與地電極(12)加載電壓后產(chǎn)生的電場(chǎng)對(duì)離子束減速。?
3.一種離子束減速裝置,其特征在于:聚集電極(9)與抑制電極(11)加載電壓后產(chǎn)生的電場(chǎng)調(diào)節(jié)離子束水平與垂直方向的聚集與擴(kuò)散。?
4.一種離子束減速裝置,其特征在于:終端電極(5)與抑制電極(11)加載電壓后產(chǎn)生的電場(chǎng)抑制離子束流中二次電子的產(chǎn)生,同時(shí)抑制電極與聚集電極形成的電場(chǎng)調(diào)節(jié)離子束水平與垂直方向的聚集與擴(kuò)散。?
5.一種離子束減速裝置,其特征在于:減速電極防護(hù)板(3)可以限制離子束流高度方向的尺寸,它的材質(zhì)為石墨,不會(huì)對(duì)離子束產(chǎn)生金屬污染。?
本發(fā)明具有如下顯著優(yōu)點(diǎn):?
1.結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,上下對(duì)稱布置,易于加工制造。?
2.功能可靠齊全:可以實(shí)現(xiàn)對(duì)離子束的減速與聚集,還可以抑制離子束中?二次電子的產(chǎn)生。?
3.易于控制:四個(gè)獨(dú)立控制的電源就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)該裝置的控制。?
附圖說(shuō)明
圖1減速電極結(jié)構(gòu)圖?
圖2減速電極供電原理圖?
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖1和附圖2對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的介紹,但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。?
參見(jiàn)圖1和圖2,一種離子束流減速裝置它由過(guò)渡連接塊(1)安裝在減速電極運(yùn)動(dòng)軸上,連接塊(2)將減速電極與過(guò)渡連接塊(1)連結(jié);減速電極防護(hù)板(3)安裝在減速電極基板(4)上;兩個(gè)終端電極(5)與終端兩個(gè)電極側(cè)板(6)上下對(duì)稱連接之后在安裝在減速電極基板(4)上;絕緣陶瓷(7)用來(lái)對(duì)幾個(gè)不同電位區(qū)的電壓隔離;聚集電極側(cè)板(8)與兩個(gè)聚集電極(9)連接之后安裝在兩個(gè)聚集電極安裝板(10)上面,這一組件與聚集電極安裝條(16)連接;抑制電極(11)與抑制電極安裝板(14)連接之后安裝在抑制電極安裝條(15),該裝置上下對(duì)稱安裝相同結(jié)構(gòu)的抑制電極;地電極(12)與地電極安裝板(13)連接;抑制電極短接條(17)用來(lái)對(duì)上下兩個(gè)抑制電極(11)短接,接線柱(18)用來(lái)和外部電源連接,聚焦電極短接條(19)用來(lái)對(duì)左右兩側(cè)兩個(gè)聚集電極短接。?
上下在同一位置的電極為同一電位,由同一電源供電;通過(guò)對(duì)終端電極(5)與地電極(12)加載適合的電位形成電場(chǎng),這種電場(chǎng)可以對(duì)帶正電荷的離子束減速,抑制電極(11)與其它電極相互作用可以抑制離子束中二次電子的產(chǎn)生,聚集電極可以調(diào)節(jié)離子束水平方向的發(fā)散與聚集,調(diào)節(jié)束流的均勻性。?
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