[發(fā)明專利]硅通孔工藝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310557105.2 | 申請日： | 2013-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN104637861A | 公開（公告）日： | 2015-05-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 潘嘉;陳曦;周正良 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅通孔 工藝 方法 | ||
1.一種硅通孔工藝方法，是與有源器件工藝相集成，其特征在于：包含如下的步驟：
步驟一，硅片上完成有源器件的制作之后，在硅片上淀積一層金屬前介質(zhì)層，該介質(zhì)層厚度取決于有源器件和無源器件的高度；
步驟二，利用光刻定義出硅通孔區(qū)域，依次刻蝕所述硅通孔區(qū)域的金屬前介質(zhì)層和硅片，形成深溝槽或孔；
步驟三，整個硅片表面形成氧化層，深溝槽或孔的側壁和底部同步形成氧化層；
步驟四，淀積一層鈦和氮化鈦；所述鈦和氮化鈦同時也淀積到所述深溝槽或孔外部的表面區(qū)域；
步驟五，在所述鈦和氮化鈦上淀積第一層鎢，所述第一層鎢不將深溝槽或孔填滿；
步驟六，對所述第一層鎢進行回刻；
步驟七，在形成有所述第一層鎢的深溝槽或孔側壁和底部中淀積第二層鎢，所述第二層鎢將所述深溝槽或孔填滿；所述第二層鎢同時也淀積到所述深溝槽或孔外部的表面區(qū)域；
步驟八，對由所述第一層鎢和所述第二層鎢組成的鎢層進行回刻或化學機械研磨；
步驟九，接觸孔刻蝕及正面金屬互連完成之后，對所述硅片的背面進行減薄，從所述深溝槽或孔的底部將填充于所述深溝槽或孔中的所述鈦和氮化鈦、所述第一層鎢和第二層鎢露出；
步驟十，硅片的背面進行金屬淀積并制作背面金屬圖形，與溝槽或孔中的金屬鎢形成電性連接。
2.如權利要求1所述的硅通孔工藝方法，其特征在于：步驟一中，淀積的金屬前介質(zhì)層將硅片上有源器件和無源器件完全覆蓋住。
3.如權利要求1所述的硅通孔工藝方法，其特征在于：步驟八中,回刻或化學機械研磨至襯底表面的鈦和氮化鈦層露出。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
