[發(fā)明專利]MOS開關(guān)電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310556694.2
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN104639133A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱紅衛(wèi);趙郁煒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路，特別是涉及一種MOS開關(guān)電路。

背景技術(shù)

圖1是現(xiàn)有MOS開關(guān)電路的電路圖；現(xiàn)有MOS開關(guān)電路直接由NMOS開關(guān)管101組成，輸入信號Vin連接NMOS開關(guān)管101的源極、輸出信號Vout從NMOS開關(guān)管101的漏極輸出，NMOS管101的柵極連接控制信號en，當(dāng)控制信號en為低電平，NMOS開關(guān)管101截止；當(dāng)控制信號en為高電平，NMOS開關(guān)管101工作于深三極管區(qū)，此時MOS開關(guān)電路即NMOS開關(guān)管101的導(dǎo)通電阻由下式給出：

Ron=1μnCox(WL)(Vgs-Vth)=1μnCox(WL)(Ven-Vin-Vth)]]>

其中μ_n是電子的遷移率，C_ox是NMOS開關(guān)管101的柵氧化層電容，V_th是NMOS開關(guān)管101的閾值電壓，W和L是NMOS開關(guān)管101的寬和長。從上式可以看出，NMOS開關(guān)管101的導(dǎo)通電阻與輸入信號V_in相關(guān)，從而產(chǎn)生了非線性失真。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種MOS開關(guān)電路，能使開關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻與輸入電壓無關(guān)，有效提高開關(guān)的線性，能提高輸入信號的擺幅。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的MOS開關(guān)電路包括：NMOS開關(guān)管、電容和由多個切換開關(guān)組成的切換開關(guān)網(wǎng)絡(luò)。

所述NMOS開關(guān)管的源極接輸入信號、漏極接輸出信號。

所述電容的第一端和電源電壓之間設(shè)置有至少一個第一切換開關(guān)，所述電容的第一端和所述NMOS開關(guān)管的柵極之間有至少一個第二切換開關(guān)；所述電容的第二端和地之間設(shè)置有至少一個第三切換開關(guān)，所述電容的第二端和所述NMOS開關(guān)管的源極之間有至少一個第四切換開關(guān)；所述NMOS開關(guān)管的柵極和地之間設(shè)置有至少一個第五切換開關(guān)。

MOS開關(guān)電路包括開關(guān)截止和開關(guān)導(dǎo)通兩種工作狀態(tài)，所述第一切換開關(guān)、所述第三切換開關(guān)和所述第五切換開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)由同一控制信號控制，所述第二切換開關(guān)和所述第四切換開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)由所述控制信號的反相信號控制；通過所述控制信號及其反相信號對各所述切換開關(guān)的控制實現(xiàn)所述MOS開關(guān)電路在兩種工作狀態(tài)之間的切換。

在開關(guān)截止?fàn)顟B(tài)時，所述第一切換開關(guān)、所述第三切換開關(guān)和所述第五切換開關(guān)導(dǎo)通，所述第二切換開關(guān)和所述第四切換開關(guān)斷開，所述電容的兩端連接在電源電壓和地之間從而實現(xiàn)充電，所述NMOS開關(guān)管的柵極接地從而使所述NMOS開關(guān)管截止。

在開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)時，所述第一切換開關(guān)、所述第三切換開關(guān)和所述第五切換開關(guān)斷開，所述第二切換開關(guān)和所述第四切換開關(guān)導(dǎo)通，所述電容的兩端連接在所述NMOS開關(guān)管的柵極和源極之間并使所述NMOS開關(guān)管的柵源電壓保持穩(wěn)定，所述NMOS開關(guān)管的柵極和地之間斷開，所述NMOS開關(guān)管導(dǎo)通。