[發(fā)明專利]MOS開關(guān)電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310556694.2
• 申請日: 2013-11-11
• 公開（公告）號: CN104639133A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱紅衛(wèi);趙郁煒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種MOS開關(guān)電路，其特征在于，包括：NMOS開關(guān)管、電容和由多個切換開關(guān)組成的切換開關(guān)網(wǎng)絡(luò)；

所述NMOS開關(guān)管的源極接輸入信號、漏極接輸出信號；

所述電容的第一端和電源電壓之間設(shè)置有至少一個第一切換開關(guān)，所述電容的第一端和所述NMOS開關(guān)管的柵極之間有至少一個第二切換開關(guān)；所述電容的第二端和地之間設(shè)置有至少一個第三切換開關(guān)，所述電容的第二端和所述NMOS開關(guān)管的源極之間有至少一個第四切換開關(guān)；所述NMOS開關(guān)管的柵極和地之間設(shè)置有至少一個第五切換開關(guān)；

MOS開關(guān)電路包括開關(guān)截止和開關(guān)導(dǎo)通兩種工作狀態(tài)，所述第一切換開關(guān)、所述第三切換開關(guān)和所述第五切換開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)由同一控制信號控制，所述第二切換開關(guān)和所述第四切換開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)由所述控制信號的反相信號控制；通過所述控制信號及其反相信號對各所述切換開關(guān)的控制實現(xiàn)所述MOS開關(guān)電路在兩種工作狀態(tài)之間的切換；

在開關(guān)截止?fàn)顟B(tài)時，所述第一切換開關(guān)、所述第三切換開關(guān)和所述第五切換開關(guān)導(dǎo)通，所述第二切換開關(guān)和所述第四切換開關(guān)斷開，所述電容的兩端連接在電源電壓和地之間從而實現(xiàn)充電，所述NMOS開關(guān)管的柵極接地從而使所述NMOS開關(guān)管截止；

在開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)時，所述第一切換開關(guān)、所述第三切換開關(guān)和所述第五切換開關(guān)斷開，所述第二切換開關(guān)和所述第四切換開關(guān)導(dǎo)通，所述電容的兩端連接在所述NMOS開關(guān)管的柵極和源極之間并使所述NMOS開關(guān)管的柵源電壓保持穩(wěn)定，所述NMOS開關(guān)管的柵極和地之間斷開，所述NMOS開關(guān)管導(dǎo)通。

2.如權(quán)利要求1所述的MOS開關(guān)電路，其特征在于：

所述電容為MOS電容，所述MOS電容由源漏極連接在一起的PMOS管或NMOS管組成；

所述切換開關(guān)網(wǎng)絡(luò)包括9個NMOS管以及5個PMOS管；

第一NMOS管的漏極、第二NMOS管的漏極、第一PMOS管的源極、第六NMOS管的漏極、第七NMOS管的漏極以及第四PMOS管的源極都連接所述NMOS開關(guān)管的源極；

所述控制信號連接到所述第六NMOS管、所述第二NMOS管、第五PMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管的柵極；

所述控制信號通過一反相器得到所述控制信號的反相信號，所述反相信號連接到所述第一PMOS管、所述第四PMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管的柵極；

所述NMOS開關(guān)管的柵極連接所述第一NMOS管的柵極、第二PMOS管的漏極、所述第九NMOS管的源極、第三NMOS管的漏極、所述第七NMOS管的柵極和第三PMOS管的柵極；

所述MOS電容的柵極連接所述第二PMOS管的源極和所述第三PMOS管的源極；

所述MOS電容的源漏極都連接所述第一NMOS管的源極、所述第二NMOS管的源極、所述第一PMOS管的漏極和所述第五NMOS管的漏極；

所述第五PMOS管的源極、所述第三PMOS管的漏極、所述第八NMOS管的漏極和所述第九NMOS管的漏極都連接所述電源電壓；

所述第四PMOS管的漏極、所述第五PMOS管的漏極、所述第六NMOS管的源極、所述第七NMOS管的源極、所述第二PMOS管的柵極和所述第三NMOS管的柵極連接在一起；

所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的源極都接地；

所述第三NMOS管的源極、所述第四NMOS管的漏極和所述第八NMOS管的源極連接在一起；

所述控制信號為低電平時，所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管、所述第三PMOS管和所述第五PMOS管導(dǎo)通，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第六NMOS管、所述第七NMOS管、所述第八NMOS管、所述第九NMOS管、所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第四PMOS管截止，所述NMOS開關(guān)管截止，所述MOS電容充電；

所述控制信號為高電平時，所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管、所述第三PMOS管和所述第五PMOS管截止，所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第六NMOS管、所述第七NMOS管、所述第八NMOS管、所述第九NMOS管、所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第四PMOS管導(dǎo)通，所述MOS電容的兩端連接在所述NMOS開關(guān)管的柵極和源極之間，所述NMOS開關(guān)管導(dǎo)通。

3.如權(quán)利要求1或2所述的MOS開關(guān)電路，其特征在于：所述輸入信號的擺幅為滿幅度電源電壓擺幅。