[發明專利]具有場電極的晶體管器件

有效

• 申請號: 201310556439.8
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103681867A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: F·希爾勒;A·毛德
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬紅梅;馬永利

1.一種晶體管器件，包括：

半導體主體，其包括源區、漂移區以及處于源區和漂移區之間的體區；

源電極，其與所述源區電耦合；

柵電極，其鄰近所述體區且通過柵極電介質與所述體區介電絕緣；

場電極，其鄰近所述漂移區，通過場電極電介質與所述漂移區介電絕緣，且與所述柵電極和所述源電極之一電耦合；以及

整流元件，其將所述場電極與所述柵電極和所述源電極之一電耦合。

2.根據權利要求1所述的晶體管器件，其中所述源區為n摻雜，所述整流元件包括陽極區和陰極區，并且所述陽極區與所述柵電極和所述源電極之一連接。

3.根據權利要求1所述的晶體管器件，其中所述源區為p摻雜，所述整流元件包括陽極區和陰極區，并且所述陰極區與所述柵電極和所述源電極之一連接。

4.根據權利要求1所述的晶體管器件，進一步包括將所述場電極與所述柵電極和所述源電極之一耦合的電阻元件。

5.根據權利要求4所述的晶體管器件，其中所述電阻元件與所述整流元件并聯連接。

6.根據權利要求1所述的晶體管器件，進一步包括電連接至所述場電極的連接電極，其中所述整流元件連接在所述源電極和所述連接電極之間。

7.根據權利要求6所述的晶體管器件，其中所述半導體主體具有第一表面，所述源電極和所述連接電極布置在所述第一表面之上且彼此遠離，并且所述整流元件集成在所述半導體主體中所述第一表面之下。

8.根據權利要求7所述的晶體管器件，其中所述整流元件包括形成p-n結的兩個摻雜半導體區。

9.根據權利要求8所述的晶體管器件，其中所述兩個摻雜半導體區是單晶半導體區。

10.根據權利要求8所述的晶體管器件，其中所述兩個摻雜半導體區是多晶半導體區。

11.根據權利要求1所述的晶體管器件，其中所述場電極包括第一摻雜類型的多晶半導體材料，以及其中所述半導體器件進一步包括與第一摻雜類型互補的第二摻雜類型的多晶整流元件區，所述整流元件區鄰接所述場電極且與所述柵電極和所述源電極之一連接。

12.根據權利要求11所述的晶體管器件，其中所述場電極布置在所述半導體主體的溝槽中。

13.根據權利要求12所述的晶體管器件，其中所述整流元件區布置在所述溝槽中。

14.根據權利要求12所述的晶體管器件，其中所述柵電極布置在所述溝槽中所述場電極和所述半導體主體的所述第一表面之間。