[發明專利]一種粗化表面的透明電容的制造方法

在審

• 申請號: 201310554440.7
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN103594245A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 張翠
• 申請（專利權）人: 溧陽市江大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01G4/14
• 分類號: H01G4/14;H01G4/008
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

技術領域

本發明涉及半導體器件領域，特別涉及一種粗化表面的透明電容的制造方法。

背景技術

在顯示領域，特別是有源矩陣顯示面板領域，有源矩陣顯示面板包括用于驅動像素單元的薄膜晶體管，位于薄膜晶體管上的像素電極以及電連接像素電極的存儲電容器。存儲電容器用于存儲電荷，通常包括電容下電極、電容上電極以及兩者之間的絕緣介質。在有源矩陣顯示面板中，可利用透明材料制作透明薄膜晶體管，例如ZnO等材料，這樣可以提高顯示面板的整體透明度，提高光取出效率，而用于存儲電荷的存儲電容器通常都采用常規材料進行制造，常用的材料不透明，因此會遮光，從而影響顯示面板的透明度，進而影響整個顯示面板的性能。且現有技術中的電容的各層之間的粘附性較差，容易導致剝離、脫落等現象發生，因此會劣化電容的性能。

發明內容

有鑒于此，本發明針對現有技術的問題，提出了一種粗化表面的透明電容的制造方法。其應用于有源矩陣顯示面板中并用作存儲電容器，透明電容的下電極、上電極以及其間的絕緣介質都為透明材料，對光的透過性良好，不遮光，從而可提高整個顯示面板的光分布性以及透光性，進而提高顯示面板的性能。而且透明電容的下電極和上電極與絕緣介質接觸的表面是粗化表面，從而增強透明電容的下電極和上電極與絕緣介質之間的粘附性，從而提高透明電容的性能。

本發明提出的粗化表面的透明電容的制造方法包括：

提供第一透明電極1和第二透明電極3；

對第一透明電極1的上表面以及第二透明電極3的下表面進行粗化以形成粗化表面；

提供透明絕緣介質層2；

順序層合第一透明電極1、透明絕緣介質層2以及第二透明電極3，形成具有粗化表面4的透明電容。

附圖說明

附圖1為本發明提出的粗化表面的透明電容的整體結構。

具體實施方式

以下參考圖1詳細說明本發明的粗化表面的透明電容的結構及其制造方法。為清楚起見，附圖中所示的各個結構均未按比例繪制，且本發明并不限于圖中所示結構。

如圖1中所示，本發明的粗化的透明電容包括第一透明電極1，其用作透明電容的下電極；位于第一透明電極1上的透明絕緣介質層2，其用作透明電容的電荷存儲部；以及位于透明絕緣介質層2上的第二透明電極3，其用作透明電容的上電極，其中第一透明電極1和第二透明電極3與透明絕緣介質層2接觸的表面是粗化表面4。

其中第一透明電極1和第二透明電極3的材料可以是具有透明導電性的材料，例如TCO（透明導電氧化物），具體可以是ITO（氧化銦錫）、ZnO（氧化鋅）、SnO₂（氧化錫）、FTO（氟摻雜銦氧化物）、ATO（銻摻雜銦氧化物）、AZO（鋁摻雜鋅氧化物）中的一種或多種或上述材料的復合薄膜。第一透明電極1和第二透明電極3的材料可以相同或不同，且它們的厚度小于等于3μm，優選0.3μm-3μm，更優選1μm-2.6μm，更優選1.2μm-2.2μm，更優選1.45-1.75μm。

透明絕緣介質層2的材料可以是透明無機材料或透明有機材料，優選透明有機材料，具體包括：透明聚丙烯薄膜、透明聚酯薄膜（PET）、透明聚苯硫醚薄膜（PPS）、透明聚碳酸酯薄膜（PC）、透明聚苯亞甲萘薄膜（PEN）、透明聚偏二氟乙烯薄膜（PVPF）等等，或上述材料的復合膜，且透明絕緣介質層2的厚度小于等于3μm，優選0.3μm-3μm，更優選1μm-2.6μm，更優選1.2μm-2.2μm，更優選1.45-1.75μm。

以下說明圖1中的透明電容的制造方法。

實施例1：

步驟一：提供第一透明電極1和第二透明電極3；

步驟二：將含鎳納米粒子分散液旋涂在第一透明電極1的上表面以及第二透明電極3的下表面，從而形成單層鎳納米粒子薄膜；

步驟三：對單層鎳納米粒子薄膜進行烘干，形成ICP刻蝕所需的單層鎳納米粒子的掩模層；

步驟四：利用單層鎳納米粒子的掩模層對第一透明電極1和第二透明電極3進行ICP刻蝕，從而在第一透明電極1的上表面以及第二透明電極3的下表面形成粗化表面4；

步驟五：去除單層鎳納米粒子的掩模層；

步驟六：提供透明絕緣介質層2；

步驟七：順序層合第一透明電極1、透明絕緣介質層2以及第二透明電極3，形成具有粗化表面的透明電容。