[發明專利]一種粗化表面的透明電容的制造方法在審
| 申請號： | 201310554440.7 | 申請日： | 2013-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN103594245A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發明（設計）人： | 張翠 | 申請（專利權）人： | 溧陽市江大技術轉移中心有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/14 | 分類號： | H01G4/14;H01G4/008 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 213300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 透明 電容 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種粗化表面的透明電容的制造方法，包括：
提供第一透明電極和第二透明電極；
對第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面進行粗化以形成粗化表面；
提供透明絕緣介質層；
順序層合第一透明電極、透明絕緣介質層以及第二透明電極，形成具有粗化表面的透明電容。
2.根據權利要求1所述的粗化表面的透明電容的制造方法，其中粗化表面如下形成：
將含鎳納米粒子分散液旋涂在第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面，從而形成單層鎳納米粒子薄膜；
對單層鎳納米粒子薄膜進行烘干，形成ICP刻蝕所需的單層鎳納米粒子的掩模層；
利用單層鎳納米粒子的掩模層對第一透明電極和第二透明電極進行ICP刻蝕，從而在第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面形成粗化表面；
去除單層鎳納米粒子的掩模層。
3.根據權利要求1所述的粗化表面的透明電容的制造方法，其中粗化表面如下形成：
在第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面分別排列單層自組裝聚苯乙烯顆粒，并在單層自組裝聚苯乙烯顆粒的間隙之間填充二氧化硅凝膠；
對單層自組裝聚苯乙烯顆粒進行加熱，從而使單層自組裝聚苯乙烯顆粒氣化，形成二氧化硅凹凸圖案；
利用二氧化硅凹凸圖案對第一透明電極和第二透明電極進行ICP刻蝕，從而將凹凸圖案轉移到在第一透明電極的上表面以及第二透明電極的下表面，從而形成粗化表面。
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