[發(fā)明專利]基于磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的存儲(chǔ)器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310553001.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-08
• 公開（公告）號(hào): CN103594481B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙睿;李亮;喻湘華;張橋;吳艷光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢工程大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L27/28
• 分類號(hào): H01L27/28
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 崔友明

1.基于磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的存儲(chǔ)器件,其由下電極、旋涂在下電極上的磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料作為存儲(chǔ)器件的中間電活性存儲(chǔ)層、沉積在電活性存儲(chǔ)層上的上電極組成，所述的磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的制備方法包括有以下步驟：1）利用石墨，依次通過化學(xué)還原、磺化和還原步驟制備磺化石墨烯；2）將磺化石墨烯加入聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)水溶液中，超聲分散30-60分鐘，得磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的水溶液。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的存儲(chǔ)器件，其特征在于：所述的磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料作為中間電活性存儲(chǔ)層的厚度為60-100nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的存儲(chǔ)器件，其特征在于：所述的磺化石墨烯在磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料中的重量比例為0.08%-0.32%。

4.權(quán)利要求1所述的基于磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的存儲(chǔ)器件的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1）利用石墨，依次通過化學(xué)還原、磺化和還原步驟制備磺化石墨烯；

2）將磺化石墨烯加入聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)水溶液中，超聲分散30-60分鐘，得磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的水溶液；

3）在下電極上以轉(zhuǎn)速3000-5000轉(zhuǎn)/分鐘旋涂步驟2）所得復(fù)合材料的水溶液，旋涂時(shí)間為30-60秒；然后將表面旋涂有復(fù)合材料的下電極置于100度下干燥10-20分鐘；

4）在旋涂完成的下電極上，通過熱蒸發(fā)得到厚度為100-300nm的金屬鋁或銅作為上電極材料，即形成基于磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的存儲(chǔ)器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的存儲(chǔ)器件的制備方法，其特征在于：所述的下電極為ITO導(dǎo)電玻璃、單晶硅、金屬鋁、或表面蒸鍍有氧化銦摻錫的柔性PET聚酯薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的基于磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的存儲(chǔ)器件的制備方法，其特征在于：所述的磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料作為中間電活性存儲(chǔ)層的厚度為60-100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的基于磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料的存儲(chǔ)器件的制備方法，其特征在于：所述的磺化石墨烯在磺化石墨烯/聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)復(fù)合材料中的重量比例為0.08%-0.32%。