[發(fā)明專利]一種超小封裝的電源模塊及其封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310550475.3 | 申請日: | 2013-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN103579217B | 公開(公告)日: | 2017-02-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐謙剛;李應龍;楊虹 | 申請(專利權(quán))人: | 天水天光半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L21/60;H02M1/00 |
| 代理公司: | 甘肅省知識產(chǎn)權(quán)事務中心62100 | 代理人: | 孫惠娜 |
| 地址: | 741000*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 封裝 電源模塊 及其 方法 | ||
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及電源模塊技術(shù)領域,具體涉及一種具有較高的功率輸出、超小的體積、較小的紋波的電源模塊,本發(fā)明還涉一種超小封裝的電源模塊的封裝方法。
背景技術(shù)
目前,由于普通電源模塊采用陶瓷或鋁基片作為搭建線路的基本載體(基片),基片上再焊接封裝好的成品的元器件,外部再采用金屬密封或塑料模封工藝,導致普通電源模塊的體積比較大,轉(zhuǎn)換效率低,易發(fā)熱,且制作成本高,推廣應用價值較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺點而提供一種具有較高的功率輸出、超小的體積、較小的紋波的超小封裝的電源模塊。
本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問題是提供一種超小封裝的電源模塊的封裝方法。
為解決本發(fā)明的技術(shù)問題采用如下技術(shù)方案:
一種超小封裝的電源模塊,包括基片,所述基片為銅質(zhì),整個表面鍍鎳,所述基片分為Ⅰ區(qū)和Ⅱ區(qū),?所述Ⅰ區(qū)上設有圓孔,所述Ⅰ區(qū)基片厚度為1MM±0.1,所述Ⅱ區(qū)基片厚度為0.3MM±0.1,所述Ⅰ區(qū)和Ⅱ區(qū)連接形成0.7MM±0.2的臺階,所述Ⅱ區(qū)分為a區(qū)、b區(qū)、c區(qū),所述c區(qū)分為A端、B端、C端和D端,電源管理芯片安裝在a區(qū)內(nèi),肖特基二極管芯片安裝在b區(qū)內(nèi),輸入電容一端安裝在a區(qū)上,輸入電容另一端安裝在c區(qū)的A端上,輸出電容一端安裝在c區(qū)的C端上,輸出電容另一端安裝在c區(qū)的D端上,電感一端安裝在c區(qū)的B端上,電感另一端安裝在c區(qū)的D端上,所述電源管理芯片與輸入電容和電感分別連通,所述電感與肖特基二極管芯片連通,所述基片上安裝電源管理芯片、肖特基二極管芯片、輸入電容、輸出電容和電感的區(qū)域用環(huán)氧樹脂灌封。
所述電源管理芯片和肖特基二極管芯片的焊接點均鍍銀。
所述電源管理芯片為LM25XX系列電源管理芯片。
所述肖特基二極管芯片為1N58XX系列肖特基二極管芯片。
所述電感為47UF貼片電感,所述輸入電容和輸出電容均為220UF貼片電容。
一種超小封裝的電源模塊的封裝方法,其步驟為:
a、基片設計:所述基片為銅質(zhì),整個表面鍍鎳,所述基片分為Ⅰ區(qū)和Ⅱ區(qū),?所述Ⅰ區(qū)上設有圓孔,所述Ⅰ區(qū)基片厚度為1MM±0.1,所述Ⅱ區(qū)基片厚度為0.3MM±0.1,所述Ⅰ區(qū)和Ⅱ區(qū)連接形成0.7MM±0.2的臺階,所述Ⅱ區(qū)分為a區(qū)、b區(qū)、c區(qū),所述c區(qū)分為A端、B端、C端和D端;
b、首先采用270度的高溫焊膏在基片a區(qū)和c區(qū)的A端之間粘接輸入電容,在基片c區(qū)的C端和c區(qū)的D端之間粘接輸出電容,在基片c區(qū)的B端和c區(qū)的D端之間粘接電感,再流焊過爐后采用230度的低溫焊膏在基片a區(qū)上粘接電源管理芯片和在基片b區(qū)上粘接肖特基二極管芯片后再一次再流焊過爐;
c、采用金絲對電源管理芯片和肖特二極管進行壓焊,先將粘接器件的基片加熱到85-90度,然后用金絲焊接電源管理芯片的焊接點和輸入電容焊接點,用金絲焊接電源管理芯片的焊接點和電感的焊接點,最后用金絲焊接電感的焊接點和肖特基二極管芯片的焊接點;
d、將壓焊好的基片灌封,采用塑封料開模直接灌封,將壓焊好的基片放入模具內(nèi),然后將環(huán)氧樹脂加熱至180-200度,倒入模具后冷卻到常溫后,打開模具即可。
所述電源管理芯片和肖特基二極管芯片的焊接點均鍍銀。
所述金線為25uM金線。
本發(fā)明利用電源管理芯片、肖特基二極管芯片、貼片電感、貼片電容直接粘接在基片上,將電源變換電路固化成電源模塊,舍棄當前的陶瓷或鋁基片作為載體,而直接采用銅金屬框架作為線路載體(基片),該基片的結(jié)構(gòu)應具有屏蔽、降噪的特點,既能保證電源輸出具有較小的紋波,又能便于安裝,且縮小電源模塊的體積。采用環(huán)氧樹脂的灌封,該灌封應保證裸芯片與外界隔絕,防止水汽等進入,且牢固易存,還具有較好的散熱性能。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的基片結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明安裝示意圖;
圖3為本發(fā)明的T區(qū)壓焊連線圖;
圖4為本發(fā)明灌封示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細說明:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





