[發明專利]一種超小封裝的電源模塊及其封裝方法

有效

• 申請號: 201310550475.3
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN103579217B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 徐謙剛;李應龍;楊虹
• 申請（專利權）人: 天水天光半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/60;H02M1/00
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心62100
• 代理人: 孫惠娜

1.一種超小封裝的電源模塊，包括基片，其特征在于：所述基片為銅質，整個表面鍍鎳，所述基片分為Ⅰ區（1）和Ⅱ區,?所述Ⅰ區（1）上設有圓孔（8），所述Ⅰ區（1）基片厚度為1MM±0.1，所述Ⅱ區基片厚度為0.3MM±0.1，所述Ⅰ區（1）和Ⅱ區連接形成0.7MM±0.2的臺階，所述Ⅱ區分為a區（21）、b區（22）、c區（23），所述c區（23）分為A端（231）、B端（232）、C端（233）和D端（234），電源管理芯片（3）安裝在a區（21）內，肖特基二極管芯片（5）安裝在b區（22）內，輸入電容（4）一端安裝在a區（21）上，輸入電容（4）另一端安裝在c區（23）的A端（231）上，輸出電容（7）一端安裝在c區（23）的C端（233）上，輸出電容（7）另一端安裝在c區（23）的D端（234）上，電感（6）一端安裝在c區（23）的B端（232）上，電感（6）另一端安裝在c區（23）的D端（234）上，所述電源管理芯片（3）與輸入電容（4）和電感（6）分別連通，所述電感（6）與肖特基二極管芯片（5）連通，所述基片上安裝電源管理芯片（3）、肖特基二極管芯片（5）、輸入電容（4）、輸出電容（7）和電感（6）的區域用環氧樹脂灌封。

2.根據權利要求1所述的一種超小封裝的電源模塊，其特征在于：所述電源管理芯片（3）和肖特基二極管芯片（5）的焊接點均鍍銀。

3.根據權利要求1或2所述的一種超小封裝的電源模塊，其特征在于：所述電源管理芯片（3）為LM25XX系列電源管理芯片。

4.根據權利要求3所述的一種超小封裝的電源模塊，其特征在于：所述肖特基二極管芯片（5）為1N58XX系列肖特基二極管芯片。

5.根據權利要求4所述的一種超小封裝的電源模塊，其特征在于：所述電感（6）為47UF貼片電感，所述輸入電容（4）和輸出電容（7）均為220UF貼片電容。

6.根據權利要求1所述的一種超小封裝的電源模塊的封裝方法，其特征在于步驟為：

a、基片設計：所述基片為銅質，整個表面鍍鎳，所述基片分為Ⅰ區（1）和Ⅱ區,?所述Ⅰ區（1）上設有圓孔（8），所述Ⅰ區（1）基片厚度為1MM±0.1，所述Ⅱ區基片厚度為0.3MM±0.1，所述Ⅰ區（1）和Ⅱ區連接形成0.7MM±0.2的臺階，所述Ⅱ區分為a區（21）、b區（22）、c區（23），所述c區（23）分為A端（231）、B端（232）、C端（233）和D端（234）；

b、首先采用270度的高溫焊膏在基片a區（21）和c區（23）的A端（231）之間粘接輸入電容（4），在基片c區（23）的C端（233）和c區（23）的D端（234）之間粘接輸出電容（7），在基片c區（23）的B端（232）和c區（23）的D端（234）之間粘接電感（6），再流焊過爐后采用230度的低溫焊膏在基片a區（21）上粘接電源管理芯片（3）和在基片b區（22）上粘接肖特基二極管芯片（5）后再一次再流焊過爐；

c、采用金絲對電源管理芯片和肖特二極管進行壓焊，先將粘接器件的基片加熱到85--90度，然后用金絲焊接電源管理芯片（3）的焊接點和輸入電容（4）焊接點，用金絲焊接電源管理芯片（3）的焊接點和電感（6）的焊接點，最后用金絲焊接電感（6）的焊接點和肖特基二極管芯片（5）的焊接點；

d、將壓焊好的基片灌封，采用塑封料開模直接灌封，將壓焊好的基片放入模具內，然后將環氧樹脂加熱至180-200度，倒入模具后冷卻到常溫后，打開模具即可。

7.根據權利要求6所述的一種超小封裝的電源模塊的封裝方法，其特征在于：所述電源管理芯片（3）和肖特基二極管芯片（5）的焊接點均鍍銀。

8.根據權利要求6或7所述的一種超小封裝的電源模塊的封裝方法，其特征在于：所述金線為25uM金線。