[發(fā)明專利]一種復(fù)合掩模板組件的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310550396.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103572206B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏志凌;高小平;趙錄軍;張煒平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山允升吉光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/24;C25D1/10;H01L51/56 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合 模板 組件 制作方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合掩模板組件的制作方法,包括:S1、一次電鑄:通過(guò)一次電鑄形成掩模層,掩模層包括有第一開(kāi)口以及掩模部,第一開(kāi)口和掩模部構(gòu)成掩模圖案區(qū);S2、二次電鑄:通過(guò)二次電鑄形成支撐層,支撐層包括有與掩模層的掩模部相對(duì)應(yīng)的支撐條以及與第一開(kāi)口及其相鄰掩模部相對(duì)應(yīng)的第二開(kāi)口,支撐層與掩模層緊密結(jié)合,起到對(duì)掩模層支撐作用,且支撐層不會(huì)對(duì)第一開(kāi)口形成遮擋。本發(fā)明提供的方法制作的復(fù)合掩模板,支撐條可以對(duì)下垂的掩模層提供一定的支撐力,如此可以更好的解決傳統(tǒng)工藝中下垂問(wèn)題,進(jìn)而改善產(chǎn)品的精度和質(zhì)量,使制造更大尺寸面板成為可能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及OLED制造領(lǐng)域,尤其涉及一種復(fù)合掩模板組件的制作方法。
背景技術(shù)
由于有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于同時(shí)具備自發(fā)光,不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡(jiǎn)單等優(yōu)異之特性,被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。
OLED生產(chǎn)過(guò)程中最重要的一環(huán)節(jié)是將有機(jī)層按照驅(qū)動(dòng)矩陣的要求敷涂到基層上,形成關(guān)鍵的發(fā)光顯示單元。OLED是一種固體材料,其高精度涂覆技術(shù)的發(fā)展是制約OLED產(chǎn)品化的關(guān)鍵。目前完成這一工作,主要采用真空沉積或真空熱蒸發(fā)(VTE)的方法,其是將位于真空腔體內(nèi)的有機(jī)物分子輕微加熱(蒸發(fā)),使得這些分子以薄膜的形式凝聚在溫度較低的基層上。在這一過(guò)程中需要與OLED發(fā)光顯示單元精度相適應(yīng)的高精密掩模板組件作為媒介。
圖1所示是一種用于OLED蒸鍍用掩模板組件的結(jié)構(gòu)示意圖,其由具有掩模圖案10的掩模主體11與固定掩模主體11用的外框12構(gòu)成,其中掩模主體11、外框12均為金屬材料。圖2 所示為圖1中A-A所示的截面放大示意圖,20為掩模部,21為有機(jī)材料蒸鍍時(shí)在基板上形成薄膜的通道,由于掩模主體11一般是金屬薄片通過(guò)蝕刻等工藝制得,構(gòu)成其掩模圖案(10)的掩模部(20)、通道(21)的尺寸(如:兩通道的中心間距尺寸d1)會(huì)受到金屬薄片本身厚度h和工藝的限制,從而限制最終OLED產(chǎn)品的分辨率。另外,若制作大尺寸掩模板,其金屬型的掩模主體11會(huì)具有較大的質(zhì)量,從而會(huì)導(dǎo)致掩模主體11板面產(chǎn)生下垂(即板面下凹),這對(duì)精度要求較高的掩模蒸鍍過(guò)程是不利的。鑒于此,業(yè)內(nèi)亟需一種能夠解決此問(wèn)題的方案。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種復(fù)合掩模板組件的制作方法,克服上述現(xiàn)有技術(shù)中缺陷的至少一個(gè)。
本發(fā)明提供了一種復(fù)合掩模板組件的制作方法,包括:
S1、一次電鑄:通過(guò)一次電鑄形成掩模層,所述掩模層包括有第一開(kāi)口以及掩模部,所述第一開(kāi)口和所述掩模部構(gòu)成掩模圖案區(qū);
S2、二次電鑄:通過(guò)二次電鑄形成支撐層,所述支撐層包括有與所述掩模層的所述掩模部相對(duì)應(yīng)的支撐條以及與所述第一開(kāi)口及其相鄰掩模部相對(duì)應(yīng)的第二開(kāi)口,所述支撐層與所述掩模層緊密結(jié)合,起到對(duì)所述掩模層支撐作用,且所述支撐層不會(huì)對(duì)所述第一開(kāi)口形成遮擋;
其特征在于,所述掩模層上任一所述第一開(kāi)口位于與所述支撐層的所述第二開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi),相鄰的所述支撐條的間距是所述掩模層相鄰的兩個(gè)所述第一開(kāi)口中心間距的n倍,所述n大于等于1且為正整數(shù)。
另外,根據(jù)本發(fā)明公開(kāi)的一種掩模板組件的制作方法還具有如下附加技術(shù)特征:
進(jìn)一步地,所述步驟S1一次電鑄包括:
S11、貼膜一步驟:在芯模的一面壓貼或涂覆一層感光膜;
S12、曝光一步驟:在所述芯模貼感光膜的一面進(jìn)行曝光,將對(duì)應(yīng)所述掩模層所述第一開(kāi)口區(qū)域的膜曝光,形成保護(hù)膜;
S13、顯影一步驟:經(jīng)顯影一步驟將所述曝光一步驟中未曝光的感光膜除去,露出芯模的金屬區(qū)域,所述保護(hù)膜繼續(xù)保留;
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





