[發(fā)明專利]一種復(fù)合掩模板組件的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310550396.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103572206B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏志凌;高小平;趙錄軍;張煒平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山允升吉光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/24;C25D1/10;H01L51/56 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合 模板 組件 制作方法 | ||
1.一種復(fù)合掩模板組件的制作方法,包括:
S1、一次電鑄:通過(guò)一次電鑄形成掩模層,所述掩模層包括有第一開(kāi)口以及掩模部,所述第一開(kāi)口和所述掩模部構(gòu)成掩模圖案區(qū);
S2、二次電鑄:通過(guò)二次電鑄形成支撐層,所述支撐層包括有與所述掩模層的所述掩模部相對(duì)應(yīng)的支撐條以及與所述第一開(kāi)口及其相鄰掩模部相對(duì)應(yīng)的第二開(kāi)口,所述支撐層與所述掩模層緊密結(jié)合,起到對(duì)所述掩模層支撐作用,且所述支撐層不會(huì)對(duì)所述第一開(kāi)口形成遮擋;
其特征在于,所述掩模層上任一所述第一開(kāi)口位于與所述支撐層的所述第二開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi),相鄰的所述支撐條的間距是所述掩模層相鄰的兩個(gè)所述第一開(kāi)口中心間距的n倍,所述n大于等于1且為正整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件的制作方法,其特征在于,所述步驟S1一次電鑄包括:
S11、貼膜一步驟:在芯模的一面壓貼或涂覆一層感光膜;
S12、曝光一步驟:在所述芯模貼感光膜的一面進(jìn)行曝光,將對(duì)應(yīng)所述掩模層所述第一開(kāi)口區(qū)域的膜曝光,形成保護(hù)膜;
S13、顯影一步驟:經(jīng)顯影一步驟將所述曝光一步驟中未曝光的感光膜除去,露出芯模的金屬區(qū)域,所述保護(hù)膜繼續(xù)保留;
S14、電鑄一步驟:通過(guò)電鑄一步驟在所述顯影一步驟中所述露出芯模的金屬區(qū)域形成一層電鑄層,即所述的掩模層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合掩模板組件的制作方法,其特征在于,所述步驟S2二次電鑄包括:
S21、貼膜二步驟:在所述芯模具有所述掩模層的一面壓貼或涂覆一層感光膜;
S22、曝光二步驟:在所述掩模層上貼有所述感光膜的一面進(jìn)行曝光,將與所述第二開(kāi)口對(duì)應(yīng)區(qū)域的感光膜曝光,形成保護(hù)膜;
S23、顯影二步驟:經(jīng)顯影二步驟將所述曝光二步驟中未曝光的感光膜去除,露出所述掩模層的金屬區(qū)域;
S24、電鑄二步驟:通過(guò)電鑄二步驟將所述顯影二步驟中所述露出的掩模層的金屬區(qū)域形成一層電鑄層,即所述的支撐層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合掩模板組件的制作方法,其特征在于,所述步驟S24電鑄二步驟之后還包括將所述掩模層和所述支撐層從所述芯模剝離的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合掩模板組件的制作方法,其特征在于,在所述剝離步驟之前或之后,還包括脫膜步驟,將所述曝光一步驟形成的所述保護(hù)膜和所述曝光二步驟形成的所述保護(hù)膜除去,經(jīng)所述剝離和所述脫膜步驟后即得到復(fù)合掩模板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的復(fù)合掩模板組件的制作方法,其特征在于,所述步驟S2二次電鑄之后還包括將所述復(fù)合掩模板固定到掩模框的步驟,即得到復(fù)合掩模板組件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合掩模板組件的制作方法,其特征在于,所述固定方式為激光焊接方式或膠水粘結(jié)方式。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合掩模板組件的制作方法,其特征在于,所述復(fù)合掩模板為鎳或鎳基合金。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合掩模板組件的制作方法,其特征在于,所述支撐層的厚度h1為10μm≤h1≤60μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合掩模板組件的制作方法,其特征在于,所述掩模層的厚度h2為2μm≤h2≤20μm。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





