[發(fā)明專利]共陰共柵放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310550356.8 | 申請日： | 2013-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN103812455A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 宮下美代;山本和也;北林文政;間木杰;福田繪理;嘉藤勝也 | 申請（專利權(quán)）人： | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | H03F1/56 | 分類號： | H03F1/56;H03F3/20 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 閆小龍;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 共陰共柵 放大器 | ||
1.一種共陰共柵放大器，其特征在于，具備：
多個第一晶體管；
多個第二晶體管，分別共陰共柵連接于所述多個第一晶體管；
第一布線，依次連接于所述多個第一晶體管的控制端子；
第二布線，依次連接于所述多個第二晶體管的控制端子；以及
電容，連接在所述第二布線的一端與接地點(diǎn)之間，
所述第二布線具有并聯(lián)連接的2根以上的布線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共陰共柵放大器，其特征在于，所述第一布線具有并聯(lián)連接的2根以上的布線。
3.一種共陰共柵放大器，其特征在于，具備：
多個第一晶體管；
多個第二晶體管，分別共陰共柵連接于所述多個第一晶體管；
第一布線，依次連接于所述多個第一晶體管的控制端子；
第二布線，依次連接于所述多個第二晶體管的控制端子；
第一電容，連接在所述第二布線的一端與接地點(diǎn)之間；以及
第二電容，連接在所述第二布線的另一端與接地點(diǎn)之間。
4.一種共陰共柵放大器，其特征在于，具備：
多個第一晶體管；
多個第二晶體管，分別共陰共柵連接于所述多個第一晶體管；
第一布線，依次連接于所述多個第一晶體管的控制端子；
第二布線，依次連接于所述多個第二晶體管的控制端子；以及
多個電容，分別連接在所述多個第二晶體管的所述控制端子與接地點(diǎn)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的共陰共柵放大器，其特征在于，所述共陰共柵放大器是差動放大器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5的任一項所述的共陰共柵放大器，其特征在于，所述多個第一晶體管及所述多個第二晶體管是n溝道MOS晶體管。
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