[發明專利]共陰共柵放大器

有效

• 申請號: 201310550356.8
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN103812455A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 宮下美代;山本和也;北林文政;間木杰;福田繪理;嘉藤勝也
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56;H03F3/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

技術領域

本發明涉及主要在便攜式電話等的移動通信設備中使用的共陰共柵放大器（cascode?amplifier）。

背景技術

當前，作為在以CDMA為首的便攜式電話用功率放大器中實現低成本化的一種手段，正在積極開發使用了CMOS工藝的共陰共柵放大器（例如，參照專利文獻1）。

圖16是表示共陰共柵放大器的基本結構的電路圖。虛線框內是共陰共柵放大器，在此之外是為了構成功率放大器所需要的電路元件。晶體管Tr1、Tr2是n溝道MOS晶體管，它們被共陰共柵連接。將使用了共陰共柵連接的晶體管的放大器稱為共陰共柵放大器。

晶體管Tr1的柵極經由輸入匹配電路連接于RF輸入信號端子IN，并且連接于柵極偏置端子Vg1。晶體管Tr1的源極接地。即，晶體管Tr1是源極接地晶體管。

晶體管Tr2的柵極經由電容C1接地，并且連接于柵極偏置端子Vg2。即，晶體管Tr2是柵極接地晶體管。晶體管Tr2的源極連接于晶體管Tr1的漏極。晶體管Tr2的漏極經由線路L1連接于共陰共柵放大器的漏極電源端子Vd，并且經由輸出匹配電路連接于RF輸出信號端子OUT。線路L1具有特定的電氣長度并作為電感器而發揮作用。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平5-259765號公報。

發明要解決的課題

就構成功率放大器的共陰共柵放大器的晶體管而言，柵極寬度大，被分割成多個單元。在該情況下，各單元的柵極接地晶體管的柵極被柵極布線連接，在該柵極布線的一端與接地點之間連接有電容。可是，由于柵極布線的布線電阻隨著柵極寬度（晶體管尺寸）的擴大而變大，所以存在即使擴大柵極寬度，輸出功率也不增加的問題。

發明內容

本發明正是為了解決上述那樣的課題而完成的，其目的在于獲得一種能夠抑制起因于布線電阻的輸出功率的降低的共陰共柵放大器。

用于解決課題的方案

本發明的共陰共柵放大器的特征在于，具備：多個第一晶體管；多個第二晶體管，分別共陰共柵連接于所述多個第一晶體管；布線，依次連接于所述多個第二晶體管的控制端子；以及電容，連接在所述布線的一端與接地點之間，所述布線具有并聯連接的2根以上的布線。

發明的效果

通過本發明，能夠抑制起因于布線電阻的輸出功率的降低。

附圖說明

圖1是表示本發明實施方式1的共陰共柵放大器的俯視圖。

圖2是表示本發明實施方式1的共陰共柵放大器的電路圖。

圖3是表示比較例1的共陰共柵放大器的俯視圖。

圖4是表示比較例1的共陰共柵放大器的電路圖。

圖5是表示比較例1的共陰共柵放大器的布線電阻和功率增益的關系的圖。

圖6是表示比較例1的共陰共柵放大器的布線電阻和輸出功率的關系的圖。

圖7是表示比較例2的共陰共柵放大器的電路圖。

圖8是表示在能夠忽視布線電阻的理想狀態下的比較例2的共陰共柵放大器的輸入功率和輸出功率的關系的圖。

圖9是表示在考慮了布線電阻的情況下的比較例2的共陰共柵放大器的輸入功率和輸出功率的關系的圖。

圖10是表示本發明實施方式2的共陰共柵放大器的俯視圖。

圖11是表示本發明實施方式2的共陰共柵放大器的電路圖。

圖12是表示本發明實施方式3的共陰共柵放大器的俯視圖。

圖13是表示本發明實施方式3的共陰共柵放大器的電路圖。

圖14是表示本發明實施方式4的共陰共柵放大器的電路圖。

圖15是表示比較例3的共陰共柵放大器的電路圖。

圖16是表示共陰共柵放大器的基本結構的電路圖。

具體實施方式

針對本發明實施方式的共陰共柵放大器，參照附圖進行說明。對同樣的或對應的結構要素標注相同的附圖標記，有省略重復說明的情況。

實施方式1.

圖1是表示本發明實施方式1的共陰共柵放大器的俯視圖。圖2是表示本發明實施方式1的共陰共柵放大器的電路圖。晶體管Tr1a~Tr1f分別共陰共柵連接于晶體管Tr2a~Tr2f。這些晶體管是n溝道MOS晶體管。

布線Wg1依次連接于Tr1a~Tr1f的柵極。布線Wg2、Wg3依次連接于Tr2a~Tr2f的柵極。布線Wg2、Wg3相互并聯連接。電容C1連接于布線Wg2、Wg3的一端與GND之間。