[發明專利]一種用于在Si片上沉積碳膜的設備

無效

• 申請號: 201310549553.8
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN103643216A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 陳路玉
• 申請（專利權）人: 中山市創科科研技術服務有限公司
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/50
• 代理公司: 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286
• 代理人: 吳劍鋒

技術領域

本發明涉及一種用于在Si片上沉積碳膜的設備。

背景技術

現有的用于在Si片上沉積碳膜的設備其結構相對比較用于在Si片上沉積碳膜的設備復雜，生產成本高。故有必要提供一種結構簡單，投入成本低的用于在Si片上沉積碳膜的設備，以滿足需求。

發明內容

發明的目的是為了克服現有技術中的不足之處，提供一種結構簡單，生產成本低，用于在Si片上沉積碳膜的設備。

為了達到上述目的，發明采用以下方案：

一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于：包括有放電管，在所述的放電管內設有基片安裝座，在所述基片安裝座內設有能加熱基片的加熱器，在所述的放電管上設有進氣管，在所述放電管上設有用于與抽真空裝置連接的連接管，在所述放電管外壁上套設有線圈。

如上所述的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于在所述的進氣管上設有氣閥。

如上所述的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于所述基片垂直于放電管的管軸方向。

如上所述的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于所述的基片安裝座包括有沿放電管的管軸方向設置的底座，在所述底座端部上設有垂直于放電管的管軸方向設置的垂直安裝座，所述基片設置在所述垂直安裝座上。

綜上所述，發明相對于現有技術其有益效果是：

本發明產品結構簡單，生產成本相對較低。

附圖說明

圖1為本發明的示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖說明和具體實施方式對本發明作進一步描述：

如圖1所示的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，包括有放電管1，在所述的放電管1內設有基片安裝座2，在所述基片安裝座2內設有能加熱基片3的加熱器4，在所述的放電管1上設有進氣管5，在所述放電管1上設有用于與抽真空裝置連接的連接管6，在所述放電管1外壁上套設有線圈7。

本發明中在所述的進氣管5上設有氣閥8。所述基片3垂直于放電管1的管軸方向。所述的基片安裝座2包括有沿放電管1的管軸方向設置的底座21，在所述底座21端部上設有垂直于放電管1的管軸方向設置的垂直安裝座22，所述基片3設置在所述垂直安裝座22上。

本裝置利用SiH₄的脈沖感應放電生長α_Si。脈沖等離子體由通入73KA的電流的螺線管線圈激發所產生，放電管充滿SiH₄/Ar氣體21%SiH₄：79%Ar，薄膜沉積在與放電管相垂直的基片上，純SiH₄以10cm³/min速度引入，薄膜沉積在Si片上，基片垂直于管軸方向放置。

利用本發明裝置制備所得到的非晶碳膜的光學帶隙隨基片溫度和放電電壓的增加而減小。膜在紅外區透明，且與處于室溫的基片結合良好。可大量應用在太陽能電池上。

以上顯示和描述了發明的基本原理和主要特征以及發明的優點。本行業的技術人員應該了解，發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明發明的原理，在不脫離發明精神和范圍的前提下，發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的發明范圍內。發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。