[發明專利]一種用于在Si片上沉積碳膜的設備無效
| 申請號: | 201310549553.8 | 申請日: | 2013-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN103643216A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發明(設計)人: | 陳路玉 | 申請(專利權)人: | 中山市創科科研技術服務有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/26 | 分類號: | C23C16/26;C23C16/50 |
| 代理公司: | 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 吳劍鋒 |
| 地址: | 528400 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 si 沉積 設備 | ||
1.一種用于在Si片上沉積碳膜的設備,其特征在于:包括有放電管(1),在所述的放電管(1)內設有基片安裝座(2),在所述基片安裝座(2)內設有能加熱基片(3)的加熱器(4),在所述的放電管(1)上設有進氣管(5),在所述放電管(1)上設有用于與抽真空裝置連接的連接管(6),在所述放電管(1)外壁上套設有線圈(7),在所述的進氣管(5)上設有氣閥(8)。
2.根據權利要求1所述的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備,其特征在于所述基片(3)垂直于放電管(1)的管軸方向。
3.根據權利要求1所述的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備,其特征在于所述的基片安裝座(2)包括有沿放電管(1)的管軸方向設置的底座(21),在所述底座(21)端部上設有垂直于放電管(1)的管軸方向設置的垂直安裝座(22),所述基片(3)設置在所述垂直安裝座(22)上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





