[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310548407.3
• 申請(qǐng)日: 2013-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN103811531B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋基旭;皮性勛;吳錫俊;甘潤(rùn)錫;金銅赫;劉璇根;金怠植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

本申請(qǐng)要求2012年11月8日提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2012-0125922和2013年10月17日提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2013-0123784的權(quán)益，這兩個(gè)韓國專利申請(qǐng)以引用方式特此并入，視同在本文中完全闡明一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及可以防止發(fā)光效率和壽命劣化的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)

近期向信息化社會(huì)的轉(zhuǎn)型造成了用于可視地表現(xiàn)電信息信號(hào)的顯示器的領(lǐng)域快速發(fā)展，相應(yīng)地已開發(fā)出表現(xiàn)出優(yōu)異特性（諸如，薄且重量輕以及需要低功耗）的各式各樣的平板顯示裝置。

這些平板顯示裝置的代表性例子可以包括液晶顯示（LCD）裝置、等離子體顯示面板（PDP）裝置、場(chǎng)發(fā)射顯示（FED）裝置和有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示裝置。

具體地，有機(jī)發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光裝置，并且與其它平板顯示裝置相比，具有更快的響應(yīng)速度、更高的發(fā)光效率和亮度和更廣的視角。

通常，這種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括陽極和陰極，陽極和陰極被布置成彼此面對(duì)使發(fā)射層插入其間，使得通過從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在發(fā)射層內(nèi)復(fù)合，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，即，激子，進(jìn)而通過激子躍遷至平衡狀態(tài)而發(fā)光。然而，在典型的OLED裝置中，發(fā)射層中產(chǎn)生的激子遍布整個(gè)發(fā)射層，與毗鄰發(fā)射層的電子傳輸層和空穴傳輸層相互作用，這樣降低了發(fā)光效率并且致使毗鄰發(fā)射層的電子傳輸層和空穴傳輸層快速劣化，從而導(dǎo)致壽命縮短。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明涉及基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

本發(fā)明的目的礙于提供可以防止發(fā)光效率降低和壽命縮短的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

本發(fā)明的額外優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將部分地在隨后的描述中闡明并且對(duì)于閱讀了后文的本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言將變得清楚，或者可以通過實(shí)踐本發(fā)明而獲知。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過本發(fā)明的書面描述和權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文中實(shí)施和廣義描述的，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：第一電極和第二電極，它們被設(shè)置在基板上彼此面對(duì)；至少一個(gè)發(fā)射層，其形成在所述第一電極和所述第二電極之間；空穴傳輸層，其形成在所述第一電極和所述發(fā)射層之間；以及電子傳輸層，其形成在所述第二電極和所述發(fā)射層之間，其中，所述發(fā)射層包括：第一發(fā)射混合層，其形成在所述空穴傳輸層上，所述第一發(fā)射混合層包括第一空穴型基質(zhì)和第一磷光摻雜劑；以及第二發(fā)射混合層，其形成在所述第一發(fā)射混合層和所述電子傳輸層之間，所述第二發(fā)射混合層包括第一電子型基質(zhì)和第二磷光摻雜劑。

所述第一發(fā)射混合層還可以包括第二空穴型基質(zhì)。

所述第二發(fā)射混合層還可以包括第二電子型基質(zhì)。

所述第二發(fā)射混合層還可以包括第二電子型基質(zhì)，并且所述第一發(fā)射混合層還可以包括所述第一電子型基質(zhì)和所述第二電子型基質(zhì)之中的至少一個(gè)電子型基質(zhì)或第二空穴型基質(zhì)。

所述第一發(fā)射混合層還可以包括第二電子型基質(zhì)，并且所述第二發(fā)射混合層還可以包括第二空穴型基質(zhì)。

在所述第一發(fā)射混合層中所述第一空穴型基質(zhì)的含量可高于所述第二電子型基質(zhì)的含量，并且在所述第二發(fā)射混合層中所述第一電子型基質(zhì)的含量可高于所述第二空穴型基質(zhì)的含量。

所述第一電子型基質(zhì)和所述第二電子型基質(zhì)中的每一個(gè)的最低未占分子軌道（LUMO）能級(jí)與所述電子傳輸層的LUMO能級(jí)之差可以為±0.5eV或更小，并且所述第一空穴型基質(zhì)和所述第二空穴型基質(zhì)中的每一個(gè)的最高占用分子軌道（HOMO）能級(jí)與所述空穴傳輸層的HOMO能級(jí)之差可以為±0.5eV或更小。

所述第一空穴型基質(zhì)和所述第二空穴型基質(zhì)可以具有1.0×10^-6Vs/cm²至5.0×10^-3Vs/cm²的空穴遷移率。

所述第一電子型基質(zhì)和所述第二電子型基質(zhì)可以具有1.0×10^-6Vs/cm²至5.0×10^-3Vs/cm²的電子遷移率。

所述至少一個(gè)發(fā)射層可包括至少兩個(gè)發(fā)射層，并且所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可以包括在所述發(fā)射層之間順序地一個(gè)在另一個(gè)上堆疊的N型電荷產(chǎn)生層和P型電荷產(chǎn)生層。

所述第一磷光摻雜劑和所述第二磷光摻雜劑可以由相同材料或不同材料形成。