[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310548407.3
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN103811531B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋基旭;皮性勛;吳錫俊;甘潤錫;金銅赫;劉璇根;金怠植
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光顯示裝置包括：

第一電極和第二電極，它們在基板上彼此面對；

至少一個發(fā)射層，其形成在所述第一電極和所述第二電極之間；

空穴傳輸層，其形成在所述第一電極和所述發(fā)射層之間；以及

電子傳輸層，其形成在所述第二電極和所述發(fā)射層之間，

其中所述發(fā)射層包括：

第一發(fā)射混合層，其形成在所述空穴傳輸層上，所述第一發(fā)射混合層包括第一空穴型基質(zhì)和第一磷光摻雜劑；以及

第二發(fā)射混合層，其形成在所述第一發(fā)射混合層和所述電子傳輸層之間，所述第二發(fā)射混合層包括第一電子型基質(zhì)和第二磷光摻雜劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一發(fā)射混合層還包括第二空穴型基質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二發(fā)射混合層還包括第二電子型基質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第二發(fā)射混合層還包括第二電子型基質(zhì)，并且

其中所述第一發(fā)射混合層還包括所述第一電子型基質(zhì)和所述第二電子型基質(zhì)之中的至少一個電子型基質(zhì)或第二空穴型基質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一發(fā)射混合層還包括第二電子型基質(zhì)，并且

其中所述第二發(fā)射混合層還包括第二空穴型基質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中在所述第一發(fā)射混合層中所述第一空穴型基質(zhì)的含量高于所述第二電子型基質(zhì)的含量，并且在所述第二發(fā)射混合層中所述第一電子型基質(zhì)的含量高于所述第二空穴型基質(zhì)的含量。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中的任一項所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電子型基質(zhì)和所述第二電子型基質(zhì)中的每一個的最低未占分子軌道（LUMO）能級與所述電子傳輸層的LUMO能級之差為±0.5eV或更小，并且

其中所述第一空穴型基質(zhì)和所述第二空穴型基質(zhì)中的每一個的最高占用分子軌道（HOMO）能級與所述空穴傳輸層的HOMO能級之差為±0.5eV或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一空穴型基質(zhì)和所述第二空穴型基質(zhì)具有1.0×10^-6Vs/cm²至5.0×10^-3Vs/cm²的空穴遷移率。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一電子型基質(zhì)和所述第二電子型基質(zhì)具有1.0×10^-6Vs/cm²至5.0×10^-3Vs/cm²的電子遷移率。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述至少一個發(fā)射層包括至少兩個發(fā)射層，并且

其中所述有機發(fā)光顯示裝置還包括在所述發(fā)射層之間順序地一個在另一個上堆疊的N型電荷產(chǎn)生層和P型電荷產(chǎn)生層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一磷光摻雜劑和所述第二磷光摻雜劑由相同材料或不同材料形成。