[發(fā)明專利]半導(dǎo)體模塊封裝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310545399.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103915424A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金泰賢;徐范錫;趙俊亨;梁時(shí)重 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L25/07 | 分類號(hào): | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰濱;陳瀟瀟 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 模塊 封裝 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2012年12月31日遞交的名稱為“Semiconductor?Module?Package”的韓國專利申請(qǐng)No.10-2012-0158667的權(quán)益,在此其所有內(nèi)容通過引用被合并至本申請(qǐng)中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體模塊封裝。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體模塊封裝指的是多個(gè)半導(dǎo)體元件被封裝至一個(gè)封裝。在這里,半導(dǎo)體元件可以是可控硅整流器(SCR)、功率晶體管、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管、功率整流器、功率調(diào)節(jié)器、逆變器、轉(zhuǎn)換器等。這種半導(dǎo)體模塊封裝可以具有一個(gè)或多個(gè)安裝在一個(gè)封裝上的半導(dǎo)體元件(美國專利公開No.20110233608)。在一些情況中,不同類型的半導(dǎo)體元件可以被安裝在一個(gè)封裝上。上述的半導(dǎo)體封裝通常需要一個(gè)輸入端子、一個(gè)N端子以及一個(gè)輸出端子來形成一個(gè)相位輸出端子。然而,由于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的上述的半導(dǎo)體封裝在DBC襯底上同時(shí)安裝多個(gè)半導(dǎo)體元件,一旦一個(gè)元件發(fā)生缺陷時(shí),半導(dǎo)體封裝本身需要在被替代。此外,由于半導(dǎo)體封裝針對(duì)一個(gè)相位模塊襯底需要總共三個(gè)圖案(pattern),這導(dǎo)致了模塊尺寸的增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明致力于提供一種半導(dǎo)體模塊封裝,可以減少處理時(shí)間和成本。
本發(fā)明致力于提供一種半導(dǎo)體模塊封裝,可以減小其尺寸。
本發(fā)明致力于提供一種半導(dǎo)體模塊封裝,可以降低由缺陷發(fā)生而導(dǎo)致的成本。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式,提供了一種半導(dǎo)體模塊封裝,包括:第一模塊,該第一模塊包括第一熱輻射襯底和一個(gè)或多個(gè)第一半導(dǎo)體元件,并且在其一端具有第一N端子和第一P端子;第二模塊,該第二模塊包括第二熱輻射襯底和一個(gè)或多個(gè)第二半導(dǎo)體元件,并且在其一端具有第二N端子和第二P端子,并且被布置為面向所述第一模塊;以及第一輸出端子,該第一輸出端子通過將所述第一模塊電連接至所述第二模塊而被形成。
所述第一輸出端子可以通過將所述第一P端子電連接至所述第二N端子而被形成。
所述第一輸出端子可以輸出W、V和U相位中的至少一個(gè)相位。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式,提供一種半導(dǎo)體模塊封裝,包括:第一模塊,該第一模塊包括第一熱輻射襯底和一個(gè)或多個(gè)第一半導(dǎo)體元件,并且在其一端具有第一N端子和第一P端子;第二模塊,該第二模塊包括第二熱輻射襯底和一個(gè)或多個(gè)第二半導(dǎo)體元件,并且在其一端具有第二N端子和第二P端子,并且被布置為面向所述第一模塊;第三模塊,該第一模塊包括第三熱輻射襯底和一個(gè)或多個(gè)第三半導(dǎo)體元件,并且在其一端具有第三N端子和第三P端子;第四模塊,該第四模塊包括第四熱輻射襯底和一個(gè)或多個(gè)第四半導(dǎo)體元件,并且在其一端具有第四N端子和第四P端子,并且被布置為面向所述第三模塊;第五模塊,該第五模塊包括第五熱輻射襯底和一個(gè)或多個(gè)第五半導(dǎo)體元件,并且在其一端具有第五N端子和第五P端子;第六模塊,該第六模塊包括第六熱輻射襯底和一個(gè)或多個(gè)第六半導(dǎo)體元件,在其一端具有第六N端子和第六P端子,并且被布置為面向所述第五模塊;第一輸出端子,該第一輸出端子通過將所述第一模塊電連接至所述第二模塊而被形成;第二輸出端子,該第二輸出端子通過將所述第三模塊電連接至所述第四模塊而被形成;以及第三輸出端子,該第三輸出端子通過將所述第五模塊電連接至所述第六模塊而被形成。
所述第一輸出端子可以通過將所述第一P端子電連接至所述第二N端子而被形成,所述第二輸出端子通過將所述第三P端子電連接至所述第四N端子而被形成,以及所述第三輸出端子通過將所述第五P端子電連接至所述第六N端子而被形成。
所述第一輸出端子可以輸出W、V和U相位中的W相位,所述第二輸出端子可以輸出W、V和U相位中的V相位,以及所述第三輸出端子可以輸出W、V和U相位中的U相位。
所述半導(dǎo)體模塊封裝還可以包括形成在所述第一模塊至所述第六模塊的下方部分的熱輻射板。
所述半導(dǎo)體模塊封裝還可以包括外殼,該外殼被形成以便包圍(surround)所述第一模塊至所述第六模塊。
所述第一N端子、所述第二P端子、所述第三N端子、所述第四P端子、所述第五N端子、所述第六P端子、所述第一輸出端子、所述第二輸出端子以及所述第三輸出端子可以被形成以便穿過所述外殼而凸出至外部。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





