[發明專利]兩端子多通道ESD器件及其方法

有效

• 申請號: 201310544859.4
• 申請日: 2009-09-07
• 公開（公告）號: CN103646948A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: A·薩利赫;劉明焦;T·肯納
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L21/8222;H01L23/60
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種形成ESD器件的方法，包括：

形成上覆于半導體基底的第一半導體層；

形成多個二極管，且使每個二極管的至少一部分在所述第一半導體層內；

形成延伸通過所述第一半導體層的多個第一阻擋結構，其中所述多個第一阻擋結構的分開的阻擋結構圍繞所述多個二極管中的每個二極管的周界，以禁止電流在所述多個二極管之間橫向流過所述第一半導體層；以及

形成從所述第一半導體層內延伸到所述半導體基底中的導體。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括：形成延伸通過所述第一半導體層并進入所述半導體基底的第二阻擋結構，其中所述第二阻擋結構的周界圍繞所述多個二極管并圍繞所述多個第一阻擋結構，其中所述導體在所述第二阻擋結構的周界的外部。

3.如權利要求1所述的方法，進一步包括：形成在所述第一半導體層下方的導體層，并且還包括：形成在所述導體層和所述半導體基底之間的隔離層；以及

將所述半導體基底、所述隔離層和所述第一半導體層形成為具有第一傳導類型，以及將所述導體層形成為具有第二傳導類型。