[發明專利]電荷減少晶體管

有效

• 申請號: 201310544191.3
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103715239A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: C·烏夫拉爾;R·西米尼克
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L21/335;H01L29/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;馬永利

1.一種晶體管器件，包括：

布置于襯底上的漂移區域層，漂移區域層包括第一區域和第二區域，襯底耦合到漏；

背柵，所述背柵形成在漂移區域層的第一區域處；

覆蓋背柵的溝道；

覆蓋溝道的頂柵，所述頂柵覆蓋漂移區域層的第一區域的至少一部分，而不完全覆蓋漂移區域層的第二區域。

2.如權利要求1的晶體管器件，進一步包括覆蓋背柵的至少一部分且耦合到溝道的源區域，所述源區域和溝道耦合到源接觸。

3.如權利要求1的晶體管器件，其中，

溝道電耦合到漂移區域層的第二區域，溝道電耦合到源接觸，且漂移區域層的第二區域耦合到襯底。

4.如權利要求1的晶體管器件，其中，

頂柵電耦合到柵接觸，背柵電耦合到源接觸，且頂柵和背柵布置為當在柵接觸和源接觸之間施加預先設定的電壓時耗盡溝道。

5.如權利要求1的晶體管器件，其中，

背柵和頂柵具有第一摻雜類型，且漂移區域層和溝道具有第二摻雜類型。

6.一種晶體管單元，包括：

布置于襯底上的漂移區域；

形成在漂移區域的第一部分的第一背柵區域和形成在漂移區域的第二部分的第二背柵區域，漂移區域的第三部分位于第一背柵區域和第二背柵區域之間，漂移區域的第三部分覆蓋漏區域；

覆蓋第一背柵區域的第一溝道和覆蓋第二背柵區域的第二溝道；

覆蓋第一溝道且覆蓋第一背柵區域的至少一部分的第一頂柵和覆蓋第二溝道且覆蓋第二背柵區域的至少一部分的第二頂柵，漂移區域的第三部分的至少一部分不被第一頂柵或第二頂柵覆蓋。

7.如權利要求6的晶體管單元，進一步包括覆蓋第一頂柵、第二頂柵和漂移區域的第三部分的絕緣層。

8.如權利要求6的晶體管單元，進一步包括覆蓋漂移區域的第三部分的絕緣層，所述絕緣層至少部分填充第一頂柵和第二頂柵之間的區域。

9.如權利要求8的晶體管單元，進一步包括覆蓋第一頂柵、絕緣層和第二頂柵的導電層。

10.如權利要求9的晶體管單元，其中，

絕緣層的厚度大于第一頂柵的厚度且大于第二頂柵的厚度，金屬化層與絕緣層相對于第一頂柵和第二頂柵更厚的厚度相符。

11.如權利要求6的晶體管單元，其中，

漂移區域的第三部分的厚度延伸，以至少部分地填充第一頂柵和第二頂柵之間的區域。

12.如權利要求11的晶體管單元，進一步包括覆蓋第一頂柵而不覆蓋漂移區域的第三部分的第一金屬化層和覆蓋第二頂柵而不覆蓋漂移區域的第三部分的第二金屬化層。

13.如權利要求6的晶體管單元，其中，

晶體管單元具有基本上垂直的配置，且第一和第二溝道具有基本上橫向的配置。

14.如權利要求6的晶體管單元，其中，

第一頂柵和第二頂柵相對于漏區域的布置減少了晶體管單元的電容。

15.如權利要求6的晶體管單元，其中，

第一頂柵相對于第一背柵區域的重疊以及第二頂柵相對于第二背柵區域的重疊基于在漂移區域第三部分的載流子通路寬度的預先選擇的部分。

16.如權利要求6的晶體管單元，其中晶體管單元的柵-漏電荷基于第一頂柵在漂移區域的第三部分上的重疊和第二頂柵在漂移區域的第三部分上的重疊中的至少一個的重疊。

17.一種形成晶體管的方法，包括：

在襯底上布置漂移區域層，襯底耦合到漏；

在漂移區域層的一部分上形成背柵；

形成覆蓋背柵的溝道層；以及

在溝道層的一部分上方形成頂柵，使得頂柵覆蓋背柵，而不完全覆蓋漂移區域層且不完全覆蓋漏。

18.如權利要求17的方法，進一步包括移除頂柵延伸超過背柵且覆蓋漏的一部分。

19.如權利要求17的方法，進一步包括最小化頂柵超過背柵的重疊。

20.如權利要求17的方法，進一步包括通過最小化頂柵的面積，來減少晶體管的柵-漏電荷和柵-漏電容中的至少一個。