[發明專利]基于諧波比率的缺陷分類器有效
| 申請號: | 201310542804.X | 申請日: | 2013-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN103824575A | 公開(公告)日: | 2014-05-28 |
| 發明(設計)人: | 斯科特·M·德齊亞克;明·金;喬納森·戴克惠斯 | 申請(專利權)人: | LSI公司 |
| 主分類號: | G11B20/18 | 分類號: | G11B20/18;G11C29/04 |
| 代理公司: | 北京紐樂康知識產權代理事務所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 田磊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 諧波 比率 缺陷 分類 | ||
技術領域
本發明涉及存儲技術領域,尤其涉及一種基于諧波比率的缺陷分類器。
背景技術
數據可以存儲在幾種類型載體介質中,如硬盤驅動器、光盤、及其他形式的永久性或半永久性存儲器。載體介質的缺陷由不確切動作、性能低下或數據損壞導致。介質缺陷的測試可以提高數據存儲系統的可靠性。
發明內容
本公開的一個實施例是一種檢測和分類至少一個介質缺陷的方法。周期性圖案被寫入到介質中,以得到至少一個波形。將波形的幅值與缺陷閾值進行比較,以檢測介質中是否存在或不存在介質缺陷。當至少一個缺陷被檢測時,所述波形的至少兩個諧波的每一個的幅值在缺陷范圍內被確定。利用所述至少兩個諧波的幅值對缺陷進行分類。
應理解的是,前面的一般描述和下面的詳細描述不用于限制本公開。被并入說明書中并構成本說明書的一部分的附圖說明用于說明本公開的實施例。
附圖說明
通過參考附圖,本領域技術人員可更好地理解本公開的實施例:
圖1A是根據本公開的一個實施例的一個用于檢測和分類至少一個介質缺陷的系統的框圖;
圖1B是根據本公開的一個實施例,在記錄介質的周期性圖案中產生的波形的圖解說明;
圖1C是根據本公開的一個實施例,與分類閾值相比,至少一個波形的至少兩個諧波幅值比率的圖形說明;
圖2是根據本公開的一個實施例,至少一個介質缺陷檢測和分類的方法的流程圖;
圖3是根據本公開的一個實施例,所述至少一個介質缺陷檢測和分類方法的流程圖。
具體實施方式
現在根據所公開的實施例的附圖進行詳細說明。
圖1A至圖3用于說明檢測和分類至少一個介質缺陷的系統和方法的實施例。包括,但不限于:熱粗糙度(thermal?asperity,TA)和脫層(delaminated,DLM?)缺陷是已知發生在載體介質中的(如硬盤驅動器和其他永久性或半永久性的存儲設備)。術語“載體介質”用于引用在實施例中由系統或方法被操作的任何載體介質。
圖1A是一個用于檢測和分類至少一個測試介質102的至少一個缺陷的系統100的實施例。系統100包括與試驗介質102進行通信的計算系統104。該計算系統104包括任何組合的硬件、軟件或固件,被構形用以執行本文所述的用于檢測和分類測試介質102中至少一個缺陷的一個或多個步驟。在一個實施例中,該計算系統104包括至少一個處理器106,其被構形用以用于執行載體介質108的程序指令110以完成這里所描述的步驟中的一個或多個。在另一個實施方案中,該計算系統104包括被構形用以用于完成本文中所描述的一個或多個步驟中的電子電路。
該計算系統104被構形用以寫入測試介質102周期性圖案以生成波形120,如圖1B所示。在一些實施例中,周期性圖案包括,但不限于4T圖案。該計算系統104進一步被構形用以比較波形102與一缺陷閾值,以確定介質缺陷是否存在。缺陷閾值是一選定值或一預定值。在一些實施例中,缺陷閾值與測試介質102的種類有關。在一個實施例中,當波形120的幅值小于缺陷閾值時,該計算系統104檢測到至少一個缺陷。缺陷范圍122包括受缺陷影響的波形120的一部分,例如波形120的一衰減部分和比波形120其余部分具有更低的幅值的波形120的一部分。
該計算系統104進一步被構形用以利用波形120的至少兩個諧波的對檢測到的缺陷進行分類。在一些實施例中,兩個諧波包括,但不限于:波形120的一次諧波和三次諧波。諧波是具有頻率為基頻的整數倍的波形120的一個組成部分。因此,第一諧波是基頻的波形120的一個組成部分,三次諧波是3倍基頻的波形120的組成部分,依此類推。
該計算系統104被構形用以確定缺陷范圍122內各諧波的幅值。該計算系統104進一步被構形用以確定兩個諧波的幅值的比率124。如圖1C中所示,該計算系統104被構形用以比較分類閾值126與比率124,進而分類檢測的缺陷。分類閾值是選定或預定值。在一些實施例中,分類閾值與測試介質102的類型相關。在一些實施例中,基于比率124是否小于或不小于分類閾值126,該計算系統被構形用以將檢測的缺陷進行分類為TA缺陷或DLM缺陷。利用兩個諧波幅值的比率124分類缺陷提供在高密度和低信噪比(SNR)條件下可靠性優點。
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