[發明專利]對氯硅烷精餾提純工序的廢氣和廢液進行處理的方法

有效

• 申請號: 201310542662.7
• 申請日: 2013-11-05
• 公開（公告）號: CN103550948A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 曾亞龍;平述煌;閆日春;李仕勇;陸大軍;王金;趙生艷;羅平;李涌;辜鋒;李俊朝;張云華
• 申請（專利權）人: 昆明冶研新材料股份有限公司
• 主分類號: B01D5/00
• 分類號: B01D5/00;C02F1/28;C01B33/107;F17D1/08
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 李志東

1.一種對氯硅烷精餾提純工序的廢氣和廢液進行處理的方法，其特征在于，包括：

在所述氯硅烷精餾提純工序的精餾塔系統中，將塔頂低沸物雜質含量最高的一個精餾塔內的高雜質廢氣于塔頂排出，并將塔釜高沸物雜質含量最高的一個精餾塔內的高雜質廢液于塔底排出；

收集未排出高雜質廢氣的精餾塔內的含氯硅烷廢氣，并輸送至填料式氯硅烷冷凝儲存設備，以便對所述含氯硅烷廢氣進行冷凝處理，獲得不凝性氣體和冷凝液；

將未排出高雜質廢液的精餾塔內的含氯硅烷廢液收集至氯硅烷回收罐；

將所述冷凝液輸送至所述氯硅烷回收罐；以及

將所述氯硅烷回收罐中的混合液體泵送至吸附床，以便對所述混合液體進行除雜處理，獲得經過除雜的氯硅烷，

其中，所述填料式氯硅烷冷凝儲存設備包括：

冷凝器，所述冷凝器的上部具有冷媒入口且下部具有冷媒出口，頂部具有不凝性氣體出口；

儲存罐，所述儲存罐設在所述冷凝器下方且與所述冷凝器連通，所述儲存罐的中部具有用于通入所述含氯硅烷廢氣的熱媒入口，底部具有冷凝液出口，所述儲存罐的下部具有氮氣接口，所述氮氣接口位于所述冷凝液出口上方；以及

填料式塔板，所述填料式塔板設在所述儲存罐內且位于所述熱媒入口的上方。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述填料式氯硅烷冷凝儲存設備中，所述填料式塔板的外徑小于所述儲存罐的內徑，且所述填料式塔板通過螺釘固定在所述儲存罐內，

任選地，在所述填料式氯硅烷冷凝儲存設備中，所述冷凝器的外徑與所述儲存罐的外徑大致相等，

任選地，所述冷凝器的頂部敞開，所述填料式氯硅烷冷凝儲存設備還包括上部封頭，所述上部封頭設在所述冷凝器的頂部，其中所述不凝性氣體出口形成在所述上部封頭上，

任選地，所述冷凝器與所述上部封頭通過第一法蘭連接；

所述冷凝器與所述儲存罐通過第二法蘭連接。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述填料式氯硅烷冷凝儲存設備還包括：

氮氣管，所述氮氣管與所述氮氣接口相連。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述填料式氯硅烷冷凝儲存設備還包括用于控制所述含氯硅烷廢氣的回收儲存的控制系統，所述控制系統分別與所述冷凝器、所述儲存罐相連，所述控制系統包括控制器。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述儲存罐上具有上壓力接口和下壓力接口，在所述儲存罐的軸向方向上所述上壓力接口和下壓力接口分別位于所述填料式塔板的上方和下方；

所述控制系統還包括與所述控制器相連的上壓力表和下壓力表，所述上壓力表與所述上壓力接口相連，且所述下壓力表與所述下壓力接口相連，

任選地，所述控制系統還包括設在所述不凝性氣體出口處的調節閥，所述調節閥分別與所述上壓力表和所述控制器相連以由所述儲存罐內的壓力控制所述調節閥的開度，

任選地，所述控制系統還包括與所述控制器相連的液位計，所述液位計設在所述儲存罐上的上端接口和下端接口之間。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制系統還包括切斷閥，所述切斷閥設在所述冷凝液出口處且分別與所述液位計和所述控制器相連。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制系統還包括：

連接至所述儲存罐的溫度計；和

冷媒流量閥，所述冷媒流量閥連接至所述冷媒入口處，所述冷媒流量閥分別與所述溫度計和所述控制器相連以由所述儲存罐內存儲的氯硅烷冷凝液的溫度控制所述冷媒流量閥的開度，

任選地，所述控制器為PLC控制器。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述填料式氯硅烷冷凝儲存設備中采用200～500kg/h、-25℃的冷油作為冷媒，

任選地，所述填料式氯硅烷冷凝儲存設備內的壓力為0.15～0.20MPa。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

將所述經過除雜的氯硅烷返回至所述氯硅烷精餾提純工序，以便進行進一步提純處理。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

將所述不凝性氣體以及排出的高雜質廢氣和高雜質廢液，分別進行無害化處理。