[發(fā)明專利]壓電裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310542595.9
• 申請(qǐng)日: 2013-11-05
• 公開（公告）號(hào): CN103825572A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 有路巧;中武裕允;高橋岳寬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本電波工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02;H03H9/125
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明;張洋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種壓電裝置(piezoelectric?device)。

背景技術(shù)

作為壓電裝置，已知有如下類型：在晶體振動(dòng)片等的壓電振動(dòng)片的表面(一方的主面)上經(jīng)由接合材料而接合蓋(lid)部，并且在背面(另一方的主面)同樣地經(jīng)由接合材料而接合底(base)部。該類型中所使用的壓電振動(dòng)片包括：以規(guī)定的振動(dòng)頻率而振動(dòng)的振動(dòng)部，以包圍振動(dòng)部的方式而形成的框部，以及連結(jié)振動(dòng)部及框部的連結(jié)部。而且，在壓電振動(dòng)片的振動(dòng)部的表面及背面分別形成著激振電極，從各激振電極到框部為止分別形成著引出電極，并且該引出電極與底部的外部電極電連接。

例如，專利文獻(xiàn)1中公開了一種壓電裝置，該壓電裝置是由蓋部及底部夾著壓電振動(dòng)片，所述壓電振動(dòng)片具備：從激振電極引出到框部的引出電極。而且，該壓電振動(dòng)片中所具備的引出電極是形成到框部的最外周為止，即便在壓電振動(dòng)片上接合蓋部或底部的狀態(tài)(也就是作為壓電裝置而完成的狀態(tài))下，也成為引出電極的側(cè)面露出在外部的狀態(tài)。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2010-200118號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)1所示的壓電裝置因引出電極的側(cè)面露出于外部，所以成為暴露在外部氣體的狀態(tài)，從而有時(shí)引出電極中使用的金屬因大氣中的水分而受到腐蝕(溶解)。因該腐蝕，而蓋部或底部對(duì)壓電振動(dòng)片的接合強(qiáng)度降低，從而有蓋部或底部從壓電振動(dòng)片剝離等、導(dǎo)致壓電裝置的破損的可能。而且，一般來(lái)說(shuō)，壓電裝置的內(nèi)部空間(保持振動(dòng)部的空間)內(nèi)，是由真空等的規(guī)定環(huán)境氣體而形成，但外部氣體經(jīng)由腐蝕的引出電極而進(jìn)入到內(nèi)部空間，從而有引起振動(dòng)頻率的變動(dòng)或激振電極的破損等、這樣的導(dǎo)致壓電裝置的可靠性降低的可能。

而且，如專利文獻(xiàn)1那樣，在由蓋部及底部夾著壓電振動(dòng)片的類型的壓電裝置中，振動(dòng)部的激振電極與框部的引出電極為大致同時(shí)地形成。因此，為了防止引出電極的腐蝕等，也考慮將這些電極設(shè)為由多個(gè)金屬膜構(gòu)成的積層構(gòu)造。然而，有因所使用的金屬而對(duì)振動(dòng)部的振動(dòng)特性造成影響、或?qū)е码娮柚?晶體阻抗值，CI值(Crystal?Impedance?value))的上升的可能，從而要求找到由多個(gè)金屬構(gòu)成的適當(dāng)?shù)姆e層構(gòu)造。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上的情況，本發(fā)明的目的在于提供一種防止引出電極的腐蝕等而可防止破損或確保動(dòng)作可靠性，并且可抑制對(duì)振動(dòng)特性的影響或電阻值的上升的壓電裝置。

本發(fā)明為一種壓電裝置，包括：壓電振動(dòng)片，具有包圍振動(dòng)部的框部，且在框部具備與設(shè)置于振動(dòng)部的激振電極電連接的引出電極；蓋部，經(jīng)由接合材料而接合于壓電振動(dòng)片的表面；以及底部，經(jīng)由接合材料而接合于壓電振動(dòng)片的背面，且具備與引出電極電連接的外部電極，所述壓電裝置的特征在于：激振電極及引出電極包括：由能夠形成鈍態(tài)的金屬所形成的基底膜，以及積層于基底膜的第一金屬膜及第二金屬膜，基底膜將其膜厚設(shè)定為1.0nm～8.0nm。

而且，基底膜可將其膜厚設(shè)定為3.0nm～7.5nm。而且，激振電極及所述引出電極可按照基底膜、第一金屬膜、第二金屬膜的順序積層，第一金屬膜可為抑制基底膜的金屬原子向第二金屬膜擴(kuò)散的阻擋膜，且其膜厚設(shè)定為0.5nm～12.5nm。而且，第一金屬膜可將其膜厚設(shè)定為2.5nm～10.0nm。而且，引出電極可與所述框部的外周緣隔開而形成。

[發(fā)明的效果]

根據(jù)本發(fā)明，因由基底膜的金屬而在引出電極的外周緣部分形成鈍態(tài)的覆膜，所以可保護(hù)其不受大氣中的水分的影響，由此抑制引出電極的腐蝕等并防止壓電裝置的破損，從而能夠確保動(dòng)作可靠性。此外，通過(guò)對(duì)基底膜或第一金屬膜的膜厚加以規(guī)定，而可抑制對(duì)振動(dòng)部的振動(dòng)特性的影響或激振電極等的電阻值的上升。

附圖說(shuō)明

圖1是第一實(shí)施方式的壓電裝置的分解立體圖。

圖2是沿著圖1的A-A線的剖面圖。

圖3是將圖2的區(qū)域B放大所得的剖面圖。

圖4是評(píng)估用試樣的平面圖。

圖5是將熱處理前的電阻值的測(cè)定結(jié)果表示為曲線圖所得的圖。

圖6是將熱處理后的電阻值的測(cè)定結(jié)果表示為曲線圖所得的圖。

附圖標(biāo)記：

100：壓電裝置

110：蓋部

111、121：凹部

112、122：接合面

120：底部

123：城堡形結(jié)構(gòu)(切口部)

124：外部電極

125：城堡形結(jié)構(gòu)電極