[發明專利]壓電裝置在審
| 申請號: | 201310542595.9 | 申請日: | 2013-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN103825572A | 公開(公告)日: | 2014-05-28 |
| 發明(設計)人: | 有路巧;中武裕允;高橋岳寬 | 申請(專利權)人: | 日本電波工業株式會社 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02;H03H9/125 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明;張洋 |
| 地址: | 日本東京涉谷區笹*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓電 裝置 | ||
1.一種壓電裝置,其特征在于包括:
壓電振動片,具有:包圍振動部的框部,且在所述框部具備與設置于所述振動部的激振電極電連接的引出電極;
蓋部,經由接合材料而接合于所述壓電振動片的表面;以及
底部,經由接合材料而接合于所述壓電振動片的背面,且所述底部具備與所述引出電極電連接的外部電極,
其中,所述激振電極及所述引出電極包括:由能夠形成鈍態的金屬所形成的基底膜,以及積層于所述基底膜的第一金屬膜及第二金屬膜,
所述基底膜將其膜厚設定為1.0nm~8.0nm。
2.根據權利要求1所述的壓電裝置,其特征在于:
所述基底膜將其膜厚設定為3.0nm~7.5nm。
3.根據權利要求1或2所述的壓電裝置,其特征在于:
所述激振電極及所述引出電極,是按照所述基底膜、所述第一金屬膜、所述第二金屬膜的順序進行積層,
所述第一金屬膜為:抑制所述基底膜的金屬原子向所述第二金屬膜進行擴散的阻擋膜,且
所述第一金屬膜的膜厚設定為0.5nm~12.5nm。
4.根據權利要求3所述的壓電裝置,其特征在于:
所述第一金屬膜將其膜厚設定為2.5nm~10.0nm。
5.根據權利要求1所述的壓電裝置,其特征在于:
所述引出電極是與所述框部的外周緣隔開而形成。
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