[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201310539882.4
• 申請日: 2013-11-04
• 公開（公告）號: CN103824819B
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 須田亨
• 申請（專利權）人: 株式會社吉帝偉士
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 郭放,許偉群

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

矩形形狀的下側半導體元件；

第一絕緣膜，形成在所述下側半導體元件表面上；

多個外部電極，所述多個外部電極沿著所述第一絕緣膜的邊而排列并形成在所述所述第一絕緣膜上；

多個內部電極，所述多個內部電極經由多個布線圖案與所述多個外部電極分別電連接，并且排列而形成在所述第一絕緣膜上；

第二絕緣膜，為形成在所述布線圖案上的薄膜，所述多個內部電極以及所述多個外部電極位置的區域是開口了的；

隔墻圖案，所述隔墻圖案形成為包圍所述多個外部電極中的每一個或每多個；

上側半導體元件，所述上側半導體元件以多個端子分別與所述多個內部電極電連接的方式搭載在所述下側半導體元件上；以及

樹脂，所述樹脂形成為滴注并流入所述下側半導體元件與所述上側半導體元件之間的方式，

其中，所述隔墻圖案是在維持從滴注所述樹脂的區域通向所述下側半導體元件的外周的空隙的同時而形成的。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述隔墻圖案由焊料形成，且與形成在所述內部電極上的焊料凸塊同時地形成。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述隔墻圖案形成為以將所述多個外部電極按每多個進行包圍的方式，并且所述隔墻圖案也形成在所述多個外部電極的各個之間。

4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

在矩形形狀的下側半導體元件表面上形成第一絕緣膜的工序，

在所述第一絕緣膜上形成多個布線圖案的工序，

形成沿著所述第一絕緣膜的邊而排列的多個外部電極、在所述第一絕緣膜上排列的多個內部電極、在第一絕緣膜上將所述多個外部電極與所述多個內部電極分別電連接的布線圖案的工序，

在所述多個布線圖案上形成第二絕緣膜的工序，所述第二絕緣膜為薄膜，所述第二絕緣膜的、所述多個內部電極以及所述多個外部電極的區域是開口了的，

以將所述多個外部電極中的每一個或每多個進行包圍的方式形成具有空隙的隔墻圖案的工序；

以將上側半導體元件的多個端子分別與所述多個內部電極電連接的方式在所述下側半導體元件上搭載所述上側半導體元件的工序；以及

以流入所述下側半導體元件與所述上側半導體元件之間的方式滴注而形成樹脂的工序，

其中，樹脂經由所述空隙滴注到所述下側半導體元件的外周。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述隔墻圖案由焊料形成，并且與形成在所述內部電極上的焊料凸塊同時地形成。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，一邊維持從滴注所述樹脂的區域通向所述下側半導體元件的外周的空隙，一邊形成所述隔墻圖案。

7.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，以將所述多個外部電極按每多個進行包圍的方式形成所述隔墻圖案，并且在所述多個外部電極的各個之間也形成所述隔墻圖案。