[發明專利]標準單元布局、具有工程更改指令單元的半導體器件及方法在審
| 申請號: | 201310535364.5 | 申請日: | 2013-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN104377196A | 公開(公告)日: | 2015-02-25 |
| 發明(設計)人: | 田麗鈞;周雅琪;莊惠中;陳俊甫;江庭瑋;曾祥仁 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 標準 單元 布局 具有 工程 更改 指令 半導體器件 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,更具體地,涉及標準單元布局、具有工程更改指令單元的半導體器件及方法。
背景技術
為了設計和制造集成電路(IC),使用標準單元。這樣的標準單元具有預先設計的布局并存儲在標準單元庫中。
發明內容
為了解決現有技術中所存在的問題,根據本發明的一個方面,提供了一種標準單元的布局,所述布局存儲在非瞬時性計算機可讀介質上并且包括:
第一導電圖案;
第二導電圖案;
多個有源區圖案,所述多個有源區圖案彼此隔離且布置在所述第一導電圖案和所述第二導電圖案之間的第一行和第二行中,
所述第一行鄰近所述第一導電圖案并且包括所述多個有源區圖案中的第一有源區圖案和第二有源區圖案,并且
所述第二行鄰近所述第二導電圖案并且包括所述多個有源區圖案中的第三有源區圖案和第四有源區圖案;以及
第一中央導電圖案,布置在所述第一有源區圖案和所述第二有源區圖案之間,所述第一中央導電圖案與所述第一導電圖案重疊。
在可選實施例中,所述布局還包括:第二中央導電圖案,布置在所述第三有源區圖案和所述第四有源區圖案之間,所述第二中央導電圖案與所述第二導電圖案重疊。
在可選實施例中,所述第二中央導電圖案與第一中央導電圖案隔離開。
在可選實施例中,所述第一中央導電圖案和所述第二中央導電圖案沿所述標準單元的對稱軸布置。
在可選實施例中,所述布局還包括:對于所述多個有源區圖案中的每一個,至少一個導電柵極圖案與有源區圖案重疊。
在可選實施例中,與所述第一有源區圖案重疊的至少一個導電柵極圖案和與所述第三有源區圖案重疊的至少一個導電柵極圖案彼此相連續并且限定與所述第一有源區圖案和所述第三有源區圖案重疊的第一公共導電柵極圖案;以及,與所述第二有源區圖案重疊的至少一個導電柵極圖案和與所述第四有源區圖案重疊的至少一個導電柵極圖案彼此相連續并且限定與所述第二有源區圖案和所述第四有源區圖案重疊的第二公共導電柵極圖案。
在可選實施例中,所述布局還包括:對于所述多個有源區圖案中的每一個,兩個額外的導電圖案與所述有源區圖案重疊并且布置在相應的至少一個導電柵極圖案的相對側,其中,所述額外的導電圖案和所述第一中央導電圖案屬于所述布局中的第一導電層,以及,所述額外導電圖案不與所述第一導電圖案和所述第二導電圖案重疊。
在可選實施例中,所述第一導電圖案和所述第二導電圖案屬于位于所述第一導電層之上的第二導電層;所述布局還包括:通孔層,設置在所述第一導電層和所述第二導電層之間,所述通孔層包括將所述第一中央導電圖案與所述第一導電圖案電連接的至少一個通孔。
在可選實施例中,所述通孔層還包括:多個通孔,所述多個通孔的每個均與所述額外的導電圖案中的一個電連接。
在可選實施例中,所述布局還包括:對于所述多個有源區圖案中的每一個,一個以上的導電柵極圖案與所述有源區圖案重疊。
根據本發明的另一方面,還提供了一種半導體器件,包括工程更改指令(ECO)單元的陣列,所述陣列中的每個所述ECO單元均包括:
第一金屬圖案;
第二金屬圖案;
多個有源區圖案,所述多個有源區圖案彼此隔離并且布置在所述第一金屬圖案和所述第二金屬圖案之間;以及,
第一中央金屬圖案,與所述第一金屬圖案重疊,
其中,所述多個有源區圖案關于所述第一中央金屬圖案對稱布置。
在可選實施例中,所述半導體器件,對于每個所述ECO單元,還包括:第二中央金屬圖案,與所述第一中央金屬圖案對準并且與所述第二金屬圖案重疊,其中,所述多個有源區圖案關于所述第二中央金屬圖案對稱布置。
在可選實施例中,所述半導體器件,對于每個所述ECO單元中的所述多個有源區圖案中的每一個,還包括:至少一個多晶硅圖案,與所述有源區圖案重疊;以及,兩個額外金屬圖案,與所述有源區圖案重疊并且布置在相應的所述至少一個多晶硅圖案的相對側,其中,所述額外金屬圖案、所述第一中央金屬圖案和所述第二中央金屬圖案屬于第一金屬層,以及,所述第一金屬圖案和所述第二金屬圖案屬于位于所述第一金屬層之上的第二金屬層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310535364.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:電子設備
- 下一篇:顯示設備和用于制造顯示設備的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





