[發(fā)明專利]標(biāo)準(zhǔn)單元布局、具有工程更改指令單元的半導(dǎo)體器件及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310535364.5 | 申請日: | 2013-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN104377196A | 公開(公告)日: | 2015-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田麗鈞;周雅琪;莊惠中;陳俊甫;江庭瑋;曾祥仁 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 標(biāo)準(zhǔn) 單元 布局 具有 工程 更改 指令 半導(dǎo)體器件 方法 | ||
1.一種標(biāo)準(zhǔn)單元的布局,所述布局存儲在非瞬時性計算機(jī)可讀介質(zhì)上并且包括:
第一導(dǎo)電圖案;
第二導(dǎo)電圖案;
多個有源區(qū)圖案,所述多個有源區(qū)圖案彼此隔離且布置在所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案之間的第一行和第二行中,
所述第一行鄰近所述第一導(dǎo)電圖案并且包括所述多個有源區(qū)圖案中的第一有源區(qū)圖案和第二有源區(qū)圖案,并且
所述第二行鄰近所述第二導(dǎo)電圖案并且包括所述多個有源區(qū)圖案中的第三有源區(qū)圖案和第四有源區(qū)圖案;以及
第一中央導(dǎo)電圖案,布置在所述第一有源區(qū)圖案和所述第二有源區(qū)圖案之間,所述第一中央導(dǎo)電圖案與所述第一導(dǎo)電圖案重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布局,還包括:
第二中央導(dǎo)電圖案,布置在所述第三有源區(qū)圖案和所述第四有源區(qū)圖案之間,所述第二中央導(dǎo)電圖案與所述第二導(dǎo)電圖案重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的布局,其中,所述第二中央導(dǎo)電圖案與第一中央導(dǎo)電圖案隔離開。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的布局,其中,所述第一中央導(dǎo)電圖案和所述第二中央導(dǎo)電圖案沿所述標(biāo)準(zhǔn)單元的對稱軸布置。
5.一種半導(dǎo)體器件,包括工程更改指令(ECO)單元的陣列,所述陣列中的每個所述ECO單元均包括:
第一金屬圖案;
第二金屬圖案;
多個有源區(qū)圖案,所述多個有源區(qū)圖案彼此隔離并且布置在所述第一金屬圖案和所述第二金屬圖案之間;以及
第一中央金屬圖案,與所述第一金屬圖案重疊,
其中,所述多個有源區(qū)圖案關(guān)于所述第一中央金屬圖案對稱布置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件,對于每個所述ECO單元,還包括:
第二中央金屬圖案,與所述第一中央金屬圖案對準(zhǔn)并且與所述第二金屬圖案重疊,其中,所述多個有源區(qū)圖案關(guān)于所述第二中央金屬圖案對稱布置。
7.一種方法,包括:
設(shè)計或制造半導(dǎo)體器件,所述半導(dǎo)體器件包括:
功能電路,以及
處于未編程狀態(tài)的至少一個工程更改指令(ECO)單元,所述至少一個ECO單元包括關(guān)于對稱軸對稱布置的多個晶體管、以及沿著所述對稱軸的第一中央金屬圖案和第二中央金屬圖案,所述第一中央金屬圖案和所述第二中央金屬圖案分別與電源線和接地線重疊且分別與所述電源線和所述接地線電連接;
測試所述功能電路;
基于測試結(jié)果對所述至少一個ECO單元進(jìn)行編程;以及
將已編程的所述ECO單元路由至所述功能電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述編程包括:
在所述半導(dǎo)體器件中,僅修改位于所述晶體管之上的最低通孔層的正上方并與所述最低通孔層電連接的金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述編程包括:
在所述半導(dǎo)體器件中,僅修改所述晶體管之上的最低通孔層以及位于所述最低通孔層的正上方并與所述最低通孔層電連接的金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,所述編程包括:
在所述半導(dǎo)體器件中,僅修改所述晶體管之上的最低通孔層、位于所述最低通孔層的正上方并與所述最低通孔層電連接的金屬層、以及位于所述晶體管的柵極的正上方并與所述晶體管的柵極電連接的多晶硅上金屬層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





