[發明專利]發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310534180.7
• 申請日: 2013-11-01
• 公開（公告）號: CN103811621B
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 柯竣騰;郭得山;涂均祥;邱柏順;鐘健凱;葉慧君;蔡旻諺;柯淙凱;陳俊揚
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種發光元件及其制造方法。發光元件包含一第一半導體層；以及一透明導電氧化層，其包含一具有一第一金屬材料的擴散區域及一不具有第一金屬材料的非擴散區域，其中非擴散區域比擴散區域更靠近第一半導體層。

技術領域

本發明涉及一發光元件及其制造方法，尤其是涉及一具有一擴散區域及一非擴散區域的一透明導電氧化層的發光元件及其制造方法。

背景技術

發光二極管(LED)是一種固態半導體元件，發光二極管(LED)的結構包含一p型半導體層、一n型半導體層與一發光層，其中發光層形成于p型半導體層與n型半導體層之間。LED的結構包含由Ⅲ-Ⅴ族元素組成的化合物半導體，例如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)，其發光原理是在一外加電場作用下，利用n型半導體層所提供的電子與p型半導體層所提供的空穴在發光層的p-n接面附近復合，將電能轉換成光能。

發明內容

本發明的目的在于提供一種發光元件，其具有較低的順向電壓，較低的片阻值，及較高的光取出效率等。

為達上述目的，本發明提供一種發光元件，包含：第一半導體層；以及透明導電氧化層，包含具有第一金屬材料的擴散區域以及不包含該第一金屬材料的非擴散區域，其中該非擴散區域比該擴散區域更靠近該第一半導體層。

在該擴散區域中的該第一金屬材料的濃度于朝向該第一半導體層的方向上逐步遞減。

該第一金屬材料包含一元素，選自于IIA族元素及IIIA族元素所構成的群組。

所述發光元件還包含第一金屬材料氧化物，形成于該透明導電氧化層中。

該透明導電氧化層包含不同于該第一金屬材料的第二金屬材料。

所述的發光元件還包含第二半導體層，主動層形成于該第一半導體層及該第二半導體層之間，以及金屬層形成于該透明導電氧化層上，其中該金屬層對于該主動層所發出的一光線是透明。

該金屬層為一不連續層，及/或該金屬層的厚度小于100埃

所述的發光元件還包含電極結構，具有一布局或一形狀，且電連接至該第一半導體層及該第二半導體層。

該金屬層包含一圖案，對應于該電極結構的該布局或該形狀。

該電極結構在該透明導電氧化層上包含具有較高電流密度的第一區域及具有較低電流密度的第二區域，其中該金屬層的該圖案于該第二區域較密集，于該第一區域較稀疏。

附圖說明

圖1A-1C是本發明一實施例的一發光元件的制造方法；

圖1D是本發明另一實施例的一發光元件的剖視圖；

圖2是本發明一實施例的一發光元件的制造方法的一步驟；

圖3A-3C是本發明一實施例的一發光元件的制造方法的步驟；

圖4是本發明一實施例的一發光元件的放大剖視圖；

圖5是本發明一實施例的一發光元件的示意圖。

符號說明

發光元件1、2、400

基板10、43

半導體疊層20、40

第一半導體層13、33

第二半導體層11

主動層12

透明導電氧化層14、34、44

半導體疊層20

金屬層15、25、35、45