[發明專利]發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310534180.7
• 申請日: 2013-11-01
• 公開（公告）號: CN103811621B
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 柯竣騰;郭得山;涂均祥;邱柏順;鐘健凱;葉慧君;蔡旻諺;柯淙凱;陳俊揚
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光元件，包含：

第一半導體層；

第二半導體層；

主動層，形成于該第一半導體層及該第二半導體層之間，其中該主動層可發出一光線；

透明導電氧化層，設置于該第一半導體層上且包含具有第一金屬材料的擴散區域以及不包含該第一金屬材料的非擴散區域，其中該非擴散區域比該擴散區域更靠近該第一半導體層，該擴散區域的厚度大于以及

金屬層，包含該第一金屬材料，該金屬層形成于該透明導電氧化層的該擴散區域上，來自于該主動層的該光線可以穿透該金屬層。

2.如權利要求1所述的發光元件，其中在該擴散區域中的該第一金屬材料的濃度于朝向該第一半導體層的方向上逐步遞減。

3.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一金屬材料包含一元素，選自于IIA族元素及IIIA族元素所構成的群組。

4.如權利要求1所述的發光元件，還包含第一金屬材料氧化物，形成于該透明導電氧化層中。

5.如權利要求1所述的發光元件，其中該透明導電氧化層包含不同于該第一金屬材料的第二金屬材料。

6.如權利要求1所述的發光元件，其中該金屬層包含小于的厚度。

7.如權利要求1所述的發光元件，其中該金屬層為一不連續層。

8.如權利要求1所述的發光元件，還包含兩個電極結構，各具有一布局或一形狀，且分別電連接至該第一半導體層及該第二半導體層。

9.如權利要求8所述的發光元件，其中該金屬層包含一圖案，對應于該兩個電極結構之一的該布局或該形狀。

10.如權利要求9所述的發光元件，其中該兩個電極結構在該透明導電氧化層上包含具有較高電流密度的第一區域及具有較低電流密度的第二區域，其中該金屬層的該圖案于該第二區域較密集，于該第一區域較稀疏。

11.一種發光元件，包含：

第一半導體層；

第二半導體層；

主動層形成于該第一半導體層及該第二半導體層之間，其中該主動層可發出一光線；

透明導電氧化層，設置于該第一半導體層上且包含具有第一金屬材料的擴散區域以及不包含該第一金屬材料的非擴散區域，其中該非擴散區域比該擴散區域更靠近該第一半導體層，該擴散區域的厚度大于以及

金屬層，包含該第一金屬材料并形成于該透明導電氧化層的該擴散區域的上表面，其中該透明導電氧化層包含不同于該第一金屬材料的第二金屬材料，該透明導電氧化層的厚度大于該金屬層的厚度。

12.一種發光元件，包含：

第一半導體層；

第二半導體層；

主動層形成于該第一半導體層及該第二半導體層之間，其中該主動層可發出一光線；

透明導電氧化層，設置于該第一半導體層上且包含具有第一金屬材料的擴散區域以及不包含該第一金屬材料的非擴散區域，其中該非擴散區域比該擴散區域更靠近該第一半導體層，該擴散區域的厚度大于以及

第一電極包含一圖案形成于該透明導電氧化層的上表面，并與該透明導電氧化層直接接觸，其中該第一電極露出該透明導電氧化層的部分該上表面。

13.一種發光元件，包含：

第一半導體層；

第二半導體層；

主動層形成于該第一半導體層及該第二半導體層之間；

透明導電氧化層，設置于該第一半導體層上且包含具有第一金屬材料的擴散區域以及不包含該第一金屬材料的非擴散區域，其中該非擴散區域比該擴散區域更靠近該第一半導體層，該擴散區域的厚度大于

第一電極包含一布局或一形狀形成于該透明導電氧化層的上表面；以及金屬層形成于該透明導電氧化層的該擴散區域上，其中該金屬層包含該第一金屬材料，該金屬層包含一圖案，并對應于該第一電極的該布局或該形狀。