[發(fā)明專(zhuān)利]一種多晶硅逆向凝固裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310530845.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103553052A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚毅;任世強(qiáng);石爽;姜大川;李鵬廷 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 大連理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C01B33/037 | 分類(lèi)號(hào): | C01B33/037 |
| 代理公司: | 大連東方專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 21212 | 代理人: | 趙淑梅;李馨 |
| 地址: | 116024 遼*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多晶 逆向 凝固 裝置 方法 | ||
1.一種多晶硅逆向凝固裝置,包括爐體(400)、真空系統(tǒng)、充氣系統(tǒng)、定向凝固熔煉系統(tǒng)、頂部升降機(jī)構(gòu)、底部升降機(jī)構(gòu),
所述頂部升降機(jī)構(gòu)包括頂部升降旋轉(zhuǎn)裝置(101),頂部升降旋轉(zhuǎn)裝置(101)的下端固定頂部連接桿(102),頂部連接桿(102)的另一端固定籽晶盤(pán)(103);
所述頂部升降旋轉(zhuǎn)裝置(101)位于爐體(400)的外部,所述頂部連接桿(102)穿過(guò)爐體(400)的上表面;所述籽晶盤(pán)(103)位于定向凝固熔煉系統(tǒng)中硅液承裝裝置(202)的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于:所述定向凝固熔煉系統(tǒng)包括托盤(pán)(201)和設(shè)于托盤(pán)(201)上的硅液承裝裝置(202),在硅液承裝裝置(202)的外側(cè)面設(shè)置加熱體(203),加熱體(203)外側(cè)設(shè)有保溫套(204);保溫套(204)的外側(cè)設(shè)有加熱感應(yīng)線(xiàn)圈(205)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于:所述底部升降機(jī)構(gòu)包括底部升降旋轉(zhuǎn)裝置(301),底部升降旋轉(zhuǎn)裝置(301)的上端固定底部連接桿(302),底部連接桿(302)的另一端固定托盤(pán)(201);
所述底部升降旋轉(zhuǎn)裝置(301)位于爐體(400)的外部,所述底部連接桿(302)穿過(guò)爐體(400)的下表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,其特征在于:所述托盤(pán)(201)所用材料為石墨或水冷銅,且在托盤(pán)(201)上表面設(shè)有保溫層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于:所述硅液承裝裝置(202)為石英坩堝外套石墨坩堝所構(gòu)成的雙層坩堝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于:所述籽晶盤(pán)(103)設(shè)有水冷裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于:所述籽晶盤(pán)(103)下端面設(shè)有用于固定籽晶的夾持裝置,或籽晶盤(pán)(103)下端面固定圓柱形水冷銅或水冷鉬突起部。
8.一種多晶硅逆向凝固方法,其特征在于:包括下述步驟:
①備料階段:將工業(yè)硅放置在硅液承裝裝置(202)中;設(shè)置籽晶盤(pán)(103);
②熔煉階段:打開(kāi)真空系統(tǒng),使?fàn)t體(400)的真空度達(dá)到0.1~10Pa,真空達(dá)到要求后利用加熱感應(yīng)線(xiàn)圈(205)對(duì)加熱體(203)進(jìn)行加熱,升溫至500~900℃時(shí)充入氬氣量至爐體(400)內(nèi)的壓力為40000~60000Pa,最后升溫至1650~1500℃保溫,確保硅液承裝裝置(202)內(nèi)的硅料完全融化;
③定向凝固階段:將籽晶盤(pán)(103)下降,下降速率為0.05~100mm/min,確保籽晶和硅料(500)液面接觸后開(kāi)始定向凝固提純;控制籽晶盤(pán)(103)的上升速度為0.05~100mm/min,同時(shí)控制托盤(pán)(201)的下降速度為0.05~100mm/min,在該下降過(guò)程中調(diào)整硅液(500)的溫度為1420℃~1480℃,確保晶體沿著籽晶繼續(xù)向下生長(zhǎng);當(dāng)硅液(500)剩余至初始的5%~25%時(shí),控制籽晶盤(pán)(103)上升,使所得硅芯(600)離開(kāi)硅液(500)液面,等硅芯(600)冷卻至室溫后,取出硅芯(600);
所述步驟①中所述籽晶盤(pán)按下述方法設(shè)置:使用端面設(shè)有加持裝置的籽晶盤(pán)(103),在籽晶盤(pán)(103)中裝上籽晶,籽晶成圓環(huán)分布;或使用下端面固定圓柱形水冷銅或水冷鉬突起部的籽晶盤(pán)(103)。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于大連理工大學(xué),未經(jīng)大連理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310530845.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 上一篇:托運(yùn)箱裝箱碼包用壓箱裝置
- 下一篇:垃圾簍
- 光源裝置、照明裝置、液晶裝置和電子裝置
- 預(yù)測(cè)裝置、編輯裝置、逆預(yù)測(cè)裝置、解碼裝置及運(yùn)算裝置
- 圖像形成裝置、定影裝置、遮光裝置以及保持裝置
- 打印裝置、讀取裝置、復(fù)合裝置以及打印裝置、讀取裝置、復(fù)合裝置的控制方法
- 電子裝置、光盤(pán)裝置、顯示裝置和攝像裝置
- 光源裝置、照明裝置、曝光裝置和裝置制造方法
- 用戶(hù)裝置、裝置對(duì)裝置用戶(hù)裝置、后端裝置及其定位方法
- 遙控裝置、通信裝置、可變裝置及照明裝置
- 透鏡裝置、攝像裝置、處理裝置和相機(jī)裝置
- 抖動(dòng)校正裝置、驅(qū)動(dòng)裝置、成像裝置、和電子裝置





