[發明專利]P型摻雜薄膜的制備方法及有機電致發光器件的制備方法

無效

• 申請號: 201310530674.8
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN104600215A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 周明杰;馮小明;鐘鐵濤;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;C23C14/24
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

技術領域

本發明涉及有機電致發光器件制備技術領域，特別是涉及一種P型摻雜薄膜的制備方法及有機電致發光器件的制備方法。

背景技術

有機材料形成的薄膜廣泛應用于各種光電子設備，如太陽能電池、有機電致發光器件等。典型的，在有機電致發光器件中，在空穴傳輸層通常采用了摻雜結構，例如在P型摻雜過程中，P型材料2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）摻雜在空穴傳輸材料N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺（TPD）中形成P型摻雜薄膜，通過P型摻雜可以提高空穴的注入效率和傳輸效率，從而提高光電子器件的性能。

但是目前對于P型摻雜薄膜而言，由于通常采用低濃度的摻雜，例如，通常F4-TCNQ摻雜在TPD中，F4-TCNQ的摻雜濃度只有2%左右，甚至一些達到1%以下，如此低的摻雜濃度，在真空鍍膜操作時，其蒸發速度的控制需要比較精確。例如F4-TCNQ與TPD的質量比為1:100，采用雙源共蒸時，預設的TPD的蒸發速度通常為1nm/s，預設的F4-TCNQ的蒸發速度要達到0.01nm/s。然而實際上，目前鮮有能達到0.01nm/s精度的監控設備。通常情況下，一般控制F4-TCNNQ的摻雜速度為0.05nm/s以上，此時TPD的摻雜速度往往達到了2nm/s以上。對于有機材料而言，2nm/s這個蒸發速度需要較多的蒸發熱量，容易對有機材料產生降解。因而，采用雙源共蒸的方法難以制備得到預設摻雜比例的P型摻雜薄膜，從而難以得到精確結構的空穴傳輸層。

發明內容

基于此，有必要提供一種P型摻雜薄膜的制備方法，以較為精確地控制P型摻雜薄膜中的P型摻雜劑的摻雜比例。

進一步，提供一種有機電致發光器件的制備方法。

一種P型摻雜薄膜的制備方法，包括如下步驟：

提供襯底；及

采用真空蒸鍍共蒸兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和一個P型摻雜劑蒸發源，在所述襯底上形成P型摻雜薄膜；

其中，所述空穴傳輸主體材料蒸發源的空穴傳輸主體材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-對二氨基聯苯；

所述P型摻雜劑蒸發源的P型摻雜劑為2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲對萘醌或2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟環己烷-2,5-二烯-1,4-二亞基)二丙二腈。

在其中一個實施例中，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和所述一個P型摻雜劑蒸發源呈直線排列，且所述P型摻雜劑蒸發源設置于所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源之間。

在其中一個實施例中，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和所述一個P型摻雜劑蒸發源等間距排列，且所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源的中心的距離為10厘米～20厘米。

在其中一個實施例中，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和所述一個P型摻雜劑蒸發源呈等邊三角形排列。

在其中一個實施例中，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源的中心的距離為8厘米～15厘米。

在其中一個實施例中，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和所述一個P型摻雜劑蒸發源呈等腰三角形排列。

在其中一個實施例中，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源的中心連線為所述等腰三角型的底邊，所述底邊的長度為8厘米～15厘米。

在其中一個實施例中，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源與所述襯底的距離為30厘米～50厘米。

在其中一個實施例中，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源的蒸發速度均為0.5～1nm/s，所述P型摻雜劑蒸發源的蒸發速度為0.05～0.2nm/s。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括如下步驟：

采用上述P型摻雜薄膜的制備方法制備層疊于襯底上的P型摻雜薄膜；

在所述P型摻雜薄膜上真空蒸鍍形成發光層；

在所述發光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層；及

在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成陰極，得到所述有機電致發光器件。