[發明專利]P型摻雜薄膜的制備方法及有機電致發光器件的制備方法

無效

• 申請號: 201310530674.8
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN104600215A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 周明杰;馮小明;鐘鐵濤;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;C23C14/24
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種P型摻雜薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底；及

采用真空蒸鍍共蒸兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和一個P型摻雜劑蒸發源，在所述襯底上形成P型摻雜薄膜；

其中，所述空穴傳輸主體材料蒸發源的空穴傳輸主體材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺或N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-對二氨基聯苯；

所述P型摻雜劑蒸發源的P型摻雜劑為2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲對萘醌或2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟環己烷-2,5-二烯-1,4-二亞基)二丙二腈。

2.根據權利要求1所述的P型摻雜薄膜的制備方法，其特征在于，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和所述一個P型摻雜劑蒸發源呈直線排列，且所述P型摻雜劑蒸發源設置于所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源之間。

3.根據權利要求2所述的P型摻雜薄膜的制備方法，其特征在于，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和所述一個P型摻雜劑蒸發源等間距排列，且所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源的中心的距離為10厘米～20厘米。

4.根據權利要求1所述的P型摻雜薄膜的制備方法，其特征在于，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和所述一個P型摻雜劑蒸發源呈等邊三角形排列。

5.根據權利要求4所述的P型摻雜薄膜的制備方法，其特征在于，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源的中心的距離為8厘米～15厘米。

6.根據權利要求1所述的P型摻雜薄膜的制備方法，其特征在于，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源和所述一個P型摻雜劑蒸發源呈等腰三角形排列。

7.根據權利要求6所述的P型摻雜薄膜的制備方法，其特征在于，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源的中心連線為所述等腰三角型的底邊，所述底邊的長度為8厘米～15厘米。

8.根據權利要求1所述的P型摻雜薄膜的制備方法，其特征在于，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源與所述襯底的距離為30厘米～50厘米。

9.根據權利要求1所述的P型摻雜薄膜的制備方法，其特征在于，所述兩個空穴傳輸主體材料蒸發源的蒸發速度均為0.5～1nm/s，所述P型摻雜劑蒸發源的蒸發速度為0.05～0.2nm/s。

10.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用權利要求1～9任一項所述的P型摻雜薄膜的制備方法制備層疊于襯底上的P型摻雜薄膜；

在所述P型摻雜薄膜上真空蒸鍍形成發光層；

在所述發光層上真空蒸鍍形成電子傳輸層；及

在所述電子傳輸層上真空蒸鍍形成陰極，得到所述有機電致發光器件。