[發明專利]LDMOS器件在審
| 申請號： | 201310530476.1 | 申請日： | 2013-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN104600111A | 公開（公告）日： | 2015-05-06 |
| 發明（設計）人： | 陳雄斌;石晶 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ldmos 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種LDMOS器件，在N型埋層之上的P型外延中具有體區，以及體區一側垂直投影重合的漏端N型漂移區和P型區，所述P型區位于N型漂移區下方；在N型漂移區中具有淺槽隔離結構；淺槽隔離結構遠離體區的一側具有LDMOS器件的漏區；
所述體區中還具有體區引出區及所述LDMOS器件的源區；外延表面具有柵氧及所述LDMOS器件的多晶硅柵極及柵極側墻；多晶硅柵極之上具有金屬硅化物；其特征在于：所述的N型埋層之上與體區及P型區之間具有P型埋層。
2.如權利要求1所述的一種LDMOS器件，其特征在于：所述P型埋層往體區方向延伸是至少超過體區0.1μm，但不超出體區。
3.如權利要求1所述的一種LDMOS器件，其特征在于：所述P型埋層往漏端方向延伸是至少超過N型漂移區0.1μm。
4.如權利要求1所述的一種LDMOS器件，其特征在于：所述漏端漂移區的P型區是通過P型埋層向上擴散及掩膜離子注入共同形成。
5.如權利要求1所述的一種LDMOS器件，其特征在于：所述垂直投影重合的N型漂移區和P型區是利用同一張掩膜版實現。
6.如權利要求1所述的一種LDMOS器件，其特征在于：所述LDMOS器件的漏端漂移區是利用N型漂移區及P型區互相耗盡。
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