[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201310530407.0
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103811619A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/62
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種發光器件，包括：

發光結構，所述發光結構包括第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層下方的有源層以及在所述有源層下方的第二導電半導體層；

多個第一電極，所述多個第一電極設置在所述第一導電半導體層上；

第二電極，所述第二電極電連接至所述第二導電半導體層；

導電支承構件，所述導電支承構件設置在所述第二電極下方；

多個第一連接部，所述第一連接部分別將所述第一電極電連接至所述導電支承構件；以及

第二連接部，所述第二連接部電連接至所述第二電極，

其中所述第一電極在所述第一導電半導體層的頂表面上彼此間隔開。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極以點的形式布置在所述第一導電半導體層上。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極布置在所述第一導電半導體層周圍。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中彼此相鄰的所述第一電極彼此間隔開100μm至500μm的距離。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一連接部布置在所述發光結構的側面。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述第一連接部彼此間隔開。

7.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：在所述發光結構的下部周圍的溝道層，其中所述第二連接部的一端設置在所述溝道層上。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述第二連接部的所述一端與所述發光結構的側壁間隔開并且在所述發光結構的側面處露出。

9.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述溝道層的頂表面高于所述有源層的頂表面。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第二電極包括在所述第二導電半導體層下方的金屬層，并且所述第二連接部電連接至所述金屬層。

11.根據權利要求10所述的發光器件，還包括：設置在所述金屬層和所述導電支承構件之間的絕緣層。

12.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述絕緣層的頂表面在所述發光結構的下部的外周部處露出。

13.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述第一連接部穿過所述絕緣層電連接至所述導電支承構件。

14.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：設置在所述第一連接部和所述發光結構之間的保護層。

15.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述溝道層圍繞所述有源層。

16.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述溝道層圍繞所述第二導電半導體層。

17.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述溝道層的一端設置在所述第二導電半導體層下方。

18.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述溝道層的一端接觸所述第二導電半導體層的下表面。

19.根據權利要求7所述的發光器件，其中所述溝道層的一端設置在所述第二導電半導體層和所述第二電極之間。

20.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極以幾微米至幾十微米的范圍內的寬度形成在所述第一導電半導體層上。

21.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一連接部布置在所述發光結構的側面，并且彼此相鄰的所述第一電極彼此間隔開100μm至500μm的距離。

22.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一連接部接觸所述第一導電半導體層的側面。