[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201310530407.0
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103811619A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/62
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

技術領域

本發明的實施方案涉及發光器件、發光器件封裝件以及光單元。

背景技術

發光二極管（LED）已被廣泛用作發光器件之一。LED通過利用化合物半導體的特性將電信號轉換成例如紅外光、可見光和紫外光等光的形式。

隨著發光器件的光效率增加，發光器件已被用于各種領域，例如顯示裝置和照明器具。

發明內容

實施方案提供能夠防止電流集中并且提高電可靠性和光效率的發光器件、發光器件封裝件以及光單元。

根據實施方案的發光器件包括：發光結構，其具有第一導電半導體層、在第一導電半導體層下方的有源層以及在有源層下方的第二導電半導體層；設置在第一導電半導體層上的多個第一電極；電連接至第二導電半導體層的第二電極；設置在第二電極下方的導電支承構件；分別將第一電極電連接至導電支承構件的多個第一連接部；以及電連接至第二電極的第二連接部，其中第一電極在第一導電半導體層的頂表面上的彼此間隔開。

根據實施方案，第一電極可以以點的形式布置在第一導電半導體層上。

根據實施方案的發光器件、發光器件封裝件以及光單元可以防止電流集中并且提高電可靠性和光效率。

附圖說明

圖1是示出根據實施方案的發光器件的視圖。

圖2是沿圖1所示的發光器件的線A-A截取的截面圖。

圖3至圖7是示出制造發光器件的方法的截面圖。

圖8至圖13是示出根據實施方案的發光器件的另一實例的截面圖。

圖14是示出根據實施方案的發光器件封裝件的截面圖。

圖15是示出根據實施方案的顯示器件的分解透視圖。

圖16是示出根據實施方案的顯示器件的另一實例的截面圖。

圖17是示出根據實施方案的光單元的分解透視圖。

具體實施方式

在實施方案的描述中，應理解，當層（或膜）、區域、圖案或結構被稱為處于另一襯底、另一層（或膜）、另一區域、另一焊墊或另一圖案“上”或“下方”時，其可以“直接”或“間接”處于其它襯底、層（或膜）、區域、焊墊或圖案之上，或者還可以存在一個或更多個中間層。層的這種位置是參照附圖描述的。

為了方便或清楚的目的，圖中示出的每層的厚度和尺寸可能被放大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸不完全反映實際尺寸。

下文中，將參照附圖詳細地描述根據實施方案的發光器件、發光器件封裝件、光單元以及用于制造發光器件的方法。

圖1是示出根據實施方案的發光器件的視圖，圖2是沿圖1所示的發光器件的線A-A截取的截面圖。

如圖1和圖2所示，根據實施方案的發光器件可以包括發光結構10、導電支承構件70、第一電極80以及第二電極87。

發光結構10可以包括第一導電半導體層11、有源層12以及第二導電半導體層13。有源層12可以設置在第一導電半導體層11和第二導電半導體層13之間。有源層12可以設置在第一導電半導體層11下方，并且第二導電半導體層13可以設置在有源層12下方。

第一導電半導體層11可以包括摻雜有用作第一導電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導體層，第二導電半導體層13可以包括摻雜有用作第二導電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導體層。另外，第一導電半導體層11可以包括P型半導體層，第二導電半導體層13可以包括N型半導體層。

例如，第一導電半導體層11可以包括N型半導體層。第一導電半導體層11可以通過使用化合物半導體來實現。第一導電半導體層11可以通過使用第II-VI族化合物半導體或第III-V族化合物半導體來實現。

例如，第一導電半導體層11可以通過使用具有In_xAl_yGa_1-x-yN（0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1）的組成式的半導體材料來實現。例如，第一導電半導體層11可以包含選自摻雜有N型摻雜劑（如Si、Ge、Sn、Se以及Te）的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一種。

通過經由第一導電半導體層11注入的電子（或空穴）和經由第二導電半導體層13注入的空穴（或電子）的復合，有源層12發射具有如下波長的光：該波長對應于根據構成有源層12的材料的能隙差。有源層12可以具有單量子阱（SQW）結構、多量子阱（MQW）結構、量子點結構和量子線結構中的一種，但實施方案不限于此。