[發明專利]靜電卡盤與基板處理裝置

有效

• 申請號: 201310529358.9
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103794540A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 李元行
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/3065
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

技術領域

這里公開的本發明涉及一種基板處理裝置，并且更具體地，涉及一種利用等離子體的基板處理裝置。

背景技術

在基板上執行諸如光刻、蝕刻、灰化、離子注入、薄膜汽相沉積和清洗的各種處理以在基板上形成期望的圖案，以制造半導體器件。在各種處理中，蝕刻處理是用于將形成在基板上的薄膜的選定部分移除的處理并且包括濕蝕刻與干蝕刻。

使用利用等離子體的蝕刻裝置來執行干燥蝕刻。通常，為了形成等離子體，在室的內部空間中形成電磁場并且將提供到室中的處理氣體激發到等離子體狀態。

等離子體表示由離子、電子與原子團形成的電離氣體的狀態。通過非常高的溫度、強電場、或者射頻電磁場產生等離子體。在半導體器件的制造過程中，通過利用等離子體執行蝕刻處理。基于容納在等離子體中的與基板碰撞的離子顆粒執行蝕刻處理。

通常地，靜電卡盤包括電介質板與金屬本體。電介質板與本體通過硅或丙烯（acryl）彼此相連。硅具有卓越的耐熱性能但是具有低熱阻。因此，硅不會被處理基板時產生的熱量損壞。然而，硅不能有效地阻擋熱量在本體與電介質板之間的傳遞。丙烯具有卓越的熱阻。然而，丙烯的耐熱性能較低。丙烯可以防止電介質板與本體之間的熱損失但是會被處理基板時產生的熱量損壞。

發明內容

本發明提供了一種靜電卡盤與一種基板處理裝置，它們能夠減少在利用等離子體處理基板的過程中使用的靜電卡盤中的熱損失并且具有卓越的耐熱性能。

本發明的實施方式提供了基板處理裝置，其包括：室，其中具有處理空間；基板支撐組件，其定位在室中并且包括支撐基板的靜電卡盤；氣體供給單元，其將氣體供給到室中；以及電源，其施加功率以便由供給到室中的氣體產生等離子體。靜電卡盤包括：電介質板，其包括通過使用靜電力吸附基板的電極；本體，其定位在電介質板下方并且包括高頻電源連接到其上的金屬板；以及結合單元，其定位在電介質板與本體之間并且將電介質板與本體緊固在一起。結合單元形成為多層結構。

多層結構可以包括丙烯層與硅層。

硅層可以定位在丙烯層的上方。

多層結構可以進一步包括設置在硅層與丙烯層之間以允許硅層與丙烯層相應地結合到其上的結合中間層。

多層結構可以包括多個硅層與設置在多個硅層之間以使多個硅層相應地結合到其上的結合中間層。

結合中間層可以包括陶瓷。

結合中間層可以包括石英。

結合中間層可以包括金屬。

在本發明的其它實施方式中，靜電卡盤包括：電介質板，其包括通過利用靜電力吸附基板的電極；本體，其定位在電介質板下方并且包括高頻電源連接到其上的金屬板；以及結合單元，其定位在電介質板與本體之間并且將電介質板與本體緊固在一起。結合單元形成為多層結構。

多層結構可以包括丙烯層、硅層以及結合中間層，所述結合中間層設置在硅層與丙烯層之間以使硅層與丙烯層分別結合到其上。

硅層可以定位在丙烯層上方。

多層結構可以包括多個硅層與設置在多個硅層之間以使多個硅層相應地結合到其上的結合中間層。

附圖說明

附圖用以提供對本發明的進一步理解，并且將這些附圖并入說明書中并且構成本說明書的一部分。此附圖圖示說明了本發明的示例性實施方式，其連同附圖說明一起用于說明本發明的原理。在附圖中：

圖1示出了根據本發明的實施方式的基板處理裝置的橫截面視圖；

圖2是示出在圖1的靜電卡盤中使用的結合單元的實例的放大視圖；以及

圖3是示出圖2的結合單元的另一個實例的視圖。

具體實施方式

下面將參照附圖更加詳細地描述本發明的優選實施方式。然而，本發明可以以不同的形式體現并且不應構造為對在這里闡述的實施方式的限定。相反，這提供些實施方式使得對本領域中的技術人員而言，本公開將是全面與完整的，并且將充分地表達本發明的范圍。因此，在附圖中，為了清楚起見，放大了元件的形狀。

在下文中，將參照附圖詳細地描述本發明的實施方式。本發明的實施方式可以被修改成多種形式，并且本發明的范圍不限于下面的實施方式。提供此實施方式以便為本領域中的普通技術人員更完全地說明本發明。因此，在附圖中，為了更加精確地表述，放大了元件的形狀。

圖1示出了根據本發明的實施方式的基板處理裝置10的橫截面視圖；