[發(fā)明專利]靜電卡盤與基板處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310529358.9
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103794540A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李元行
• 申請（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/3065
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

1.一種基板處理裝置，其包括：

室，其中具有處理空間；

基板支撐組件，其定位在所述室中并且包括支撐基板的靜電卡盤；

氣體供給單元，其將氣體供給到所述室中；以及

電源，其施加功率以便由供給到所述室中的所述氣體產(chǎn)生等離子體，

其中，所述靜電卡盤包括：

電介質(zhì)板，其包括通過利用靜電力吸附所述基板的電極；

本體，其定位在所述電介質(zhì)板下方并且包括高頻電源連接到其上的金屬板；以及

結(jié)合單元，其定位在所述電介質(zhì)板與所述本體之間并且將所述電介質(zhì)板與所述本體緊固在一起，

其中，所述結(jié)合單元形成為多層結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括丙烯層與硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述硅層定位在所述丙烯層上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述多層結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述硅層與所述丙烯層之間以允許所述硅層與所述丙烯層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括多個硅層與設(shè)置在所述多個硅層之間以允許所述多個硅層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述結(jié)合中間層包括陶瓷。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述結(jié)合中間層包括石英。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述結(jié)合中間層包括金屬。

9.一種靜電卡盤，其包括：

電介質(zhì)板，其包括通過使用靜電力吸附基板的電極；

本體，其定位在所述電介質(zhì)板下方并且包括高頻電源連接到其上的金屬板；以及

結(jié)合單元，其定位在所述電介質(zhì)板與所述本體之間并且將所述電介質(zhì)板與所述本體緊固在一起，

其中，所述結(jié)合單元形成為多層結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電卡盤，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括丙烯層、硅層與結(jié)合中間層，所述結(jié)合中間層設(shè)置在所述硅層與所述丙烯層之間以允許所述硅層與所述丙烯層相應(yīng)地結(jié)合到其上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電卡盤，其中，所述硅層定位在丙烯層上方。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電卡盤，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括多個硅層與設(shè)置在多個硅層之間以允許所述多個硅層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電卡盤，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括第一結(jié)合層與第二結(jié)合層，

其中，所述第一結(jié)合層由具有比所述第二結(jié)合層更卓越的耐熱性能的材料形成，并且

其中，所述第二結(jié)合層由具有比所述第一結(jié)合層更卓越的熱阻的材料形成。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的靜電卡盤，其中，所述第一結(jié)合層定位在所述第二結(jié)合層下方。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的靜電卡盤，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述第一結(jié)合層與所述第二結(jié)合層之間以允許所述第一結(jié)合層與所述第二結(jié)合層相應(yīng)地結(jié)合到其上的結(jié)合中間層。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電卡盤，其中，所述結(jié)合中間層包括陶瓷。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電卡盤，其中，所述結(jié)合中間層包括石英。

18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的靜電卡盤，其中，所述結(jié)合中間層包括金屬。