[發明專利]一種基板周邊吸附烘烤結構在審
| 申請號: | 201310529289.1 | 申請日: | 2013-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN104600000A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 盧美麗;程虎 | 申請(專利權)人: | 沈陽芯源微電子設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 何麗英 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 周邊 吸附 烘烤 結構 | ||
技術領域
本發明屬于半導體處理系統中對基板處理的技術領域,具體地說是一種基板周邊吸附烘烤結構。
背景技術
半導體處理是指為了在半導體晶片或者LED基板等被處理基板上按照規定圖案形成半導體層、絕緣層和半導體層等,而對基板進行的各種處理。要形成半導體元件,需要對基板進行清洗、成膜、刻蝕、氧化、擴散等各種處理。在這些處理中,隨著半導體集成電路的精細化和高集成化,生產率和成品率的提高越來越受重視。在各種處理過程中,基板背面的處理和利用越來越受到人們的重視,尤其是對基板背面的利用,對降低成本、增加效益有重要影響。因此越來越多的器件制造廠家要求高集成化的半導體處理系統具有基板雙面處理的能力。
在半導體處理系統的噴膠工藝中,現有的吸附烘烤單元采用中心吸附式吸盤,這種方式只能對基板正面進行噴膠處理工藝,如果基板背面也有圖形,翻轉后進行背面處理,那么中心吸附式的結構就會毀壞正面已形成的圖案,這樣不僅不會提高基板的利用率,反而會導致成品率的降低。
發明內容
針對上述問題,本發明的目的在于提供一種基板周邊吸附烘烤結構。該基板周邊吸附烘烤裝置可以對雙面帶有圖形的基板進行噴膠處理,結構簡單,控制靈活,且提高了基板利用率。
為了實現上述目的,本發明采用以下技術方案:
一種基板周邊吸附烘烤結構,包括烘烤盤體、基板支承部、基板支承連接部、升降驅動控制系統、烘烤盤體支承部、真空接口及真空系統,其中烘烤盤體連接于烘烤盤體支承部的上端、并通過烘烤盤體支承部支撐,所述烘烤盤體支承部的下端設有真空接口,所述真空接口與真空系統連接;所述基板支承部的上端穿過烘烤盤體為基板支撐端,下端通過基板支承連接部與升降驅動控制系統連接,所述基板支承部通過升降驅動控制系統的驅動實現升降運動。
所述烘烤盤體包括烘烤上盤體和烘烤下盤體,所述烘烤上盤體設置于烘烤下盤體的上方、并烘烤上盤體和烘烤下盤體之間設有真空腔,所述烘烤上盤體的外邊緣沿圓周方向設有用于放置基板的凸臺,所述凸臺上設有多個與所述真空腔連通的通孔,所述烘烤下盤體內設有加熱源,所述加熱源與加熱控制部連接。所述烘烤下盤體上設有溫度感應部,所述溫度感應部與溫度監控部連接。所述烘烤上盤體上凸臺的外側沿圓周方向設有噴膠保護部。
所述基板支承部包括基板支承部I、基板支承部II及基板支承部III,所述基板支承部I、基板支承部II及基板支承部III呈三角排列。
所述升降驅動控制系統包括支承升降控制部和支承升降驅動部,所述支承升降控制部與支承升降驅動部連接,所述支承升降驅動部的輸出端與基板支承連接部連接,所述支承升降驅動部的升降由支承升降控制部控制。
所述支承升降驅動部上設有定位器I和定位器II,所述支承升降驅動部的升降位置由定位器I和定位器II控制。
所述真空系統包括真空控制部和真空供應部,其中真空供應部與烘烤盤體支承部下端的真空接口連接,所述真空控制部設置于真空供應部與真空接口之間的連接管路上。
本發明的優點及有益效果是:
1.本發明可以對雙面帶有圖形的基板進行處理,不破壞基板背面圖形,提高良率。
2.本發明上盤體部外邊緣有凸臺可使基板的邊緣放置其上,不會影響到基板的雙面噴膠工序,即基板可進行雙面噴膠或其他工藝。
3.本發明結構簡單,控制靈活。
附圖說明
圖1為本發明的立體結構示意圖;
圖2為本發明的平面結構示意圖;
圖3為本發明中烘烤部的結構示意圖;
圖4為本發明真空吸附的示意圖;
圖5為本發明中烘烤上盤體的剖面示意圖。
其中:1為支承升降控制部,2為定位器I,3為支承升降驅動部,4為定位器II,5為基板支承連接部,6為烘烤上盤體,7A為基板支承部I,7B為基板支承部II,7C為基板支承部III,8為噴膠保護部,9為烘烤下盤體,10為烘烤盤體支撐部,11為真空接口,12為真空控制部,13為真空供應部,14為加熱源,15為溫度感應部,16為加熱控制部,17為溫度監控部,h為凸臺高度。
具體實施方式:
下面結合附圖對本發明作進一步描述。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





