[發(fā)明專利]一種基板周邊吸附烘烤結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310529289.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104600000A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧美麗;程虎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 沈陽(yáng)芯源微電子設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 沈陽(yáng)科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 何麗英 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 周邊 吸附 烘烤 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種基板周邊吸附烘烤結(jié)構(gòu),其特征在于:包括烘烤盤體、基板支承部、基板支承連接部(5)、升降驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)、烘烤盤體支承部(10)、真空接口(11)及真空系統(tǒng),其中烘烤盤體連接于烘烤盤體支承部(10)的上端、并通過烘烤盤體支承部(10)支撐,所述烘烤盤體支承部(10)的下端設(shè)有真空接口(11),所述真空接口(11)與真空系統(tǒng)連接;所述基板支承部的上端穿過烘烤盤體為基板支撐端,下端通過基板支承連接部(5)與升降驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)連接,所述基板支承部通過升降驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)升降運(yùn)動(dòng)。
2.按權(quán)利要求1所述的基板周邊吸附烘烤裝置,其特征在于:所述烘烤盤體包括烘烤上盤體(6)和烘烤下盤體(9),所述烘烤上盤體(6)設(shè)置于烘烤下盤體(9)的上方、并烘烤上盤體(6)和烘烤下盤體(9)之間設(shè)有真空腔,所述烘烤上盤體(6)的外邊緣沿圓周方向設(shè)有用于放置基板的凸臺(tái),所述凸臺(tái)上設(shè)有多個(gè)與所述真空腔連通的通孔,所述烘烤下盤體(9)內(nèi)設(shè)有加熱源(14),所述加熱源(14)與加熱控制部(16)連接。
3.按權(quán)利要求2所述的基板周邊吸附烘烤裝置,其特征在于:所述烘烤下盤體(9)上設(shè)有溫度感應(yīng)部(15),所述溫度感應(yīng)部(15)與溫度監(jiān)控部(17)連接。
4.按權(quán)利要求2所述的基板周邊吸附烘烤裝置,其特征在于:所述烘烤上盤體(6)上凸臺(tái)的外側(cè)沿圓周方向設(shè)有噴膠保護(hù)部(8)。
5.按權(quán)利要求1所述的基板周邊吸附烘烤裝置,其特征在于:所述基板支承部包括基板支承部I(7A)、基板支承部II(7B)及基板支承部III(7C),所述基板支承部I(7A)、基板支承部II(7B)及基板支承部III(7C)呈三角排列。
6.按權(quán)利要求1所述的基板周邊吸附烘烤裝置,其特征在于:所述升降驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)包括支承升降控制部(1)和支承升降驅(qū)動(dòng)部(3),所述支承升降控制部(1)與支承升降驅(qū)動(dòng)部(3)連接,所述支承升降驅(qū)動(dòng)部(3)的輸出端與基板支承連接部(5)連接,所述支承升降驅(qū)動(dòng)部(3)的升降由支承升降控制部(1)控制。
7.按權(quán)利要求6所述的基板周邊吸附烘烤裝置,其特征在于:所述支承升降驅(qū)動(dòng)部(3)上設(shè)有定位器I(2)和定位器II(4),所述支承升降驅(qū)動(dòng)部(3)的升降位置由定位器I(2)和定位器II(4)控制。
8.按權(quán)利要求1所述的基板周邊吸附烘烤裝置,其特征在于:所述真空系統(tǒng)包括真空控制部(12)和真空供應(yīng)部(13),其中真空供應(yīng)部(13)與烘烤盤體支承部(10)下端的真空接口(11)連接,所述真空控制部(12)設(shè)置于真空供應(yīng)部(13)與真空接口(11)之間的連接管路上。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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