[發明專利]一種光刻膠水基硅片清洗液及其制備方法

有效

• 申請號: 201310527927.6
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN103605270A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 郭萬東;孟祥法;董培才
• 申請（專利權）人: 合肥中南光電有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

技術領域

本發明涉及清洗劑領域，尤其涉及一種光刻膠水基硅片清洗液及其制備方法。

背景技術

硅片清洗劑廣泛應用于光伏，電子等行業硅片清洗；由于硅片在運輸過程中會有所污染，表面潔凈度不是很高，對即將進行的腐蝕與刻蝕產生很大的影響，所以首先要對硅片表面進行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有機沾污，然后溶解氧化膜，因為氧化層是“沾污陷進”，會引起外延缺陷；再去除顆粒、金屬等，同時使硅片的表面鈍化。

目前多數硅片清洗劑采用RAC清洗中的一號液和三號液，但是一號液顯堿性，可能會造成硅表面粗糙，要嚴格控制溫度、濃度和時間；三號液顯酸性，有強腐蝕性，對人體健康也不利，生產成本高，有刺激性氣味，污染環境，因此需要進一步改進配方，以達到清潔徹底、無污染、腐蝕小、對人體健康、電路安全、降低成本的目的。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光刻膠水基硅片清洗液及其制備方法，該清洗劑具有對光刻膠清洗速度快，對硅片腐蝕性小。

本發明的技術方案如下：

一種光刻膠水基硅片清洗液，其特征在于由下列重量份的原料制成：三乙醇胺2-3、四氫糠醇4-5、苯并三氮唑1-2、十二烷基苯磺酸鈉2-3、苯甲酸鈉2-3、鉬酸鈉1-2、乙醇30-40、助劑4-5、去離子水100-120；

所述助劑由下列重量份的原料制成：硅烷偶聯劑KH-570?2-3、抗氧劑1035?1-2、植酸1-2、嗎啉3-4、甲基丙烯酸-2-?羥基乙酯3-4、乙醇12-15；制備方法是將硅烷偶聯劑KH-570?、植酸、乙醇混合，加熱至60-70℃，攪拌20-30分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至80-85℃，攪拌30-40分鐘，即得。

所述光刻膠水基硅片清洗液的制備方法，其特征在于包括以下步驟：將去離子水、三乙醇胺、四氫糠醇、苯并三氮唑、十二烷基苯磺酸鈉、苯甲酸鈉、鉬酸鈉、乙醇混合，在1000-1200轉/分攪拌下，以6-8℃/分的速率加熱到60-70℃，加入其他剩余成分，繼續攪拌15-20分鐘，即得。

本發明的有益效果

本發明的清洗劑可以用于LED和半導體中光刻膠的去除，同時對于硅片基本沒有攻擊，且成本低，清洗簡單。本發明的助劑能夠在硅片表面形成保護膜，隔絕空氣，防止大氣中水及其他分子腐蝕硅片，抗氧化，方便下一步制作工藝進行。

具體實施方式

一種光刻膠水基硅片清洗液，由下列重量份(公斤)的原料制成：三乙醇胺2.5、四氫糠醇4.5、苯并三氮唑1.5、十二烷基苯磺酸鈉2.4、苯甲酸鈉2.5、鉬酸鈉1.5、乙醇35、助劑4.5、去離子水110；

所述助劑由下列重量份（公斤）的原料制成：硅烷偶聯劑KH-570?2.5、抗氧劑1035?1.5、植酸1.5、嗎啉3.5、甲基丙烯酸-2-?羥基乙酯3.5、乙醇14；制備方法是將硅烷偶聯劑KH-570、植酸、乙醇混合，加熱至65℃，攪拌25分鐘后，再加入其它剩余成分，升溫至84℃，攪拌34分鐘，即得。

所述光刻膠水基硅片清洗液的制備方法，包括以下步驟：將去離子水、三乙醇胺、四氫糠醇、苯并三氮唑、十二烷基苯磺酸鈉、苯甲酸鈉、鉬酸鈉、乙醇混合，在1100轉/分攪拌下，以7℃/分的速率加熱到65℃，加入其他剩余成分，繼續攪拌18分鐘，即得。

該光刻膠水基硅片清洗液用于清洗帶有光刻膠的硅片，洗凈率為99%，對洗凈硅片表面不會殘留不溶物，不產生新污染，不影響產品的質量，洗凈后的硅片表面干凈，色澤一致，無花斑。