[發明專利]一種利用氯化銅蝕刻廢液制備微米級氧化銅的方法

無效

• 申請號: 201310527814.6
• 申請日: 2013-10-31
• 公開（公告）號: CN104591255A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 孫立
• 申請（專利權）人: 孫立
• 主分類號: C01G3/02
• 分類號: C01G3/02
• 代理公司: 連云港潤知專利代理事務所 32255
• 代理人: 劉伯平

技術領域

本發明涉及一種廢棄物利用方法，具體涉及一種利用氯化銅蝕刻廢液制備微米級氧化銅的方法。

背景技術

?隨著我國電子工業年增長率的不斷提高，帶動了印刷電路板及相關產業發展，我國已成為世界最大的印刷電路板生產中心。印刷電路板蝕刻過程產生大量的含銅?蝕刻廢液，不進行處理會引起環境污染并造成資源浪費，?目前我國平均日產蝕刻廢液在數千噸以上，如果能將其中的銅回收，將產生極大的經濟效益。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種利用氯化銅蝕刻廢液制備微米級氧化銅的方法。

本發明所要解決的技術問題是通過以下的技術方案來實現的。本發明是一種利用氯化銅蝕刻廢液制備微米級氧化銅的方法，其特點是：將酸性蝕刻廢液加水稀釋至銅離子濃度為10-20克/升，加入葡萄糖，葡萄糖與銅離子摩爾比為1:1.5，置于80℃的恒溫水浴中，攪拌，同時加入氫氧化鈉溶液。反應1-2小時后過濾，用無水乙醇洗滌，將濾餅置于50-70℃的真空干燥箱中干燥1-2小時，即制得微米級氧化銅。

與現有技術相比，本發明方法設計合理，它不僅可將酸性蝕刻廢液得到進一步利用，還能制備高價值的的銅元素。

具體實施方式

以下進一步描述本發明的具體技術方案，以便于本領域的技術人員進一步地理解本發明，而不構成對其權利的限制。

實施例1，一種利用氯化銅蝕刻廢液制備微米級氧化銅的方法，將酸性蝕刻廢液加水稀釋至銅離子濃度為10-20克/升，加入葡萄糖，葡萄糖與銅離子摩爾比為1:1.5，置于80℃的恒溫水浴中，攪拌，同時加入氫氧化鈉溶液。反應1-2小時后過濾，用無水乙醇洗滌，將濾餅置于50-70℃的真空干燥箱中干燥1-2小時，即制得微米級氧化銅。