[發明專利]一種加熱腔室在審
| 申請號: | 201310526264.6 | 申請日: | 2013-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN104599999A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 劉紅義 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 加熱 | ||
技術領域
本發明涉及半導體設備制造工藝領域,尤其涉及一種加熱腔室。
背景技術
在半導體制造中,經常需要對半導體工件進行去氣預加熱,其主要工藝為將工件加熱至一定溫度以去除工件上吸附的水蒸氣以及其它易揮發雜質等。
現有的加熱腔室的結構如圖1所示,在加熱腔室1的上部設置有加熱燈泡2,石英窗3將加熱腔室1與外界大氣隔離,以保證加熱腔室1內的真空環境,加熱燈泡2能夠透過石英窗3對工件4進行照射,工件4放置在支撐平臺5上,且支撐平臺5中設置有加熱絲組件6,該加熱絲組件6能夠與加熱燈泡2同時工作以對工件4進行加熱。
該現有的加熱腔室中,工件上部和下部分別由加熱燈泡和支撐平臺中的加熱絲組件來進行加熱,由于上下部加熱方式不同,容易出現加熱不均勻的現象,而加熱不均勻可能會導致部分區域雜質去除不干凈,影響后續工藝,嚴重的局部溫度不均勻甚至可能造成工件的破碎。此外,在該現有的加熱腔室中,工件為水平放置在支撐平臺上,工件下部的雜質受熱向上揮發時仍然可能附著在工件上,造成污染,并且,該現有的加熱腔室同時只能對一片工件進行加熱,效率較低。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種加熱腔室,使得能夠對工件進行均勻加熱以除去工件上吸附的水蒸氣以及易揮發雜質。
為實現上述目的,本發明提供一種加熱腔室,用于加熱工件,所述加熱腔室包括:
主腔室,所述工件能夠豎直地設置在所述主腔室中;
熱源腔室,所述熱源腔室設置于所述主腔室的至少一側并與所述主腔室固定連接,以對所述主腔室內的工件進行加熱。
優選地,所述熱源腔室設置于所述主腔室相對的兩側并與所述主腔室固定連接。
優選地,所述熱源腔室內設置有加熱燈。
優選地,所述加熱腔室還包括透光的蓋板,所述蓋板設置于所述主腔室與所述熱源腔室的相接處,所述蓋板用于將所述主腔室與所述熱源腔室分隔。
優選地,所述蓋板與所述主腔室相接處設置有密封圈。
優選地,所述蓋板由石英制成。
優選地,所述熱源腔室與所述蓋板相對的側壁上設置有加熱燈基座,所述加熱燈設置于所述加熱燈基座上,所述加熱燈基座用于向所述加熱燈供電。
優選地,所述熱源腔室與所述蓋板相對的側壁外設置有外罩,所述外罩用于所述加熱燈基座的電氣隔離。
優選地,其特征在于,所述熱源腔室與所述蓋板相對的側壁內表面上設置有反射屏,所述反射屏用于將輻射反射至所述主腔室。
優選地,所述主腔室內的底部設置有工件夾具,所述工件夾具用于固定所述工件并使所述工件為豎直狀態。
優選地,所述工件夾具上設置有多個卡槽。
優選地,所述加熱腔室還包括用于將所述主腔室和熱源腔室固定連接的連接件。
優選地,所述熱源腔室內設置有測溫儀,所述測溫儀用于測量所述工件的溫度。
優選地,所述主腔室與外部腔室選擇性的連通。
優選地,所述熱源腔室的側壁設置有冷卻水路,所述冷卻水路用于冷卻所述熱源腔室的側壁。
可見,本發明通過在主腔室外設置熱源腔室,并將工件豎直放置在主腔室中進行加熱,能夠對工件進行均勻加熱以除去工件上吸附的水蒸氣以及易揮發雜質。與現有技術相比,本發明能夠使得工件的受熱更加均勻,使得雜質去除更加干凈,同時,避免了雜質以及有機物揮發后對工件造成的污染。此外,本發明還可以同時對多個工件的加熱,顯著提高了生產效率。
附圖說明
附圖是用來提供對本發明的進一步理解,并且構成說明書的一部分,與下面的具體實施方式一起用于解釋本發明,但并不構成對本發明的限制。在附圖中:
圖1為現有的加熱腔室結構圖;
圖2為本發明實施例所提供的加熱腔室結構圖;
圖3為加熱腔室與外部腔室連接接口結構圖;
圖4為本發明實施例所提供的加熱腔室應用場景示例圖。
附圖標記說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





