[發明專利]一種加熱腔室在審
| 申請號: | 201310526264.6 | 申請日: | 2013-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN104599999A | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 劉紅義 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 加熱 | ||
1.一種加熱腔室,用于加熱工件,其特征在于,所述加熱腔室包括:
主腔室,所述工件能夠豎直地設置在所述主腔室中;
熱源腔室,所述熱源腔室設置于所述主腔室的至少一側并與所述主腔室固定連接,以對所述主腔室內的工件進行加熱。
2.根據權利要求1所述的加熱腔室,其特征在于,所述熱源腔室設置于所述主腔室相對的兩側并與所述主腔室固定連接。
3.根據權利要求1所述的加熱腔室,其特征在于,所述熱源腔室內設置有加熱燈。
4.根據權利要求3所述的加熱腔室,其特征在于,所述加熱腔室還包括透光的蓋板,所述蓋板設置于所述主腔室與所述熱源腔室的相接處,所述蓋板用于將所述主腔室與所述熱源腔室分隔。
5.根據權利要求4所述的加熱腔室,其特征在于,所述蓋板與所述主腔室相接處設置有密封圈。
6.根據權利要求4所述的加熱腔室,其特征在于,所述蓋板由石英制成。
7.根據權利要求4所述的加熱腔室,其特征在于,所述熱源腔室與所述蓋板相對的側壁上設置有加熱燈基座,所述加熱燈設置于所述加熱燈基座上,所述加熱燈基座用于向所述加熱燈供電。
8.根據權利要求7所述的加熱腔室,其特征在于,所述熱源腔室與所述蓋板相對的側壁外設置有外罩,所述外罩用于所述加熱燈基座的電氣隔離。
9.根據權利要求4中任意一項所述的加熱腔室,其特征在于,所述熱源腔室與所述蓋板相對的側壁內表面上設置有反射屏,所述反射屏用于將輻射反射至所述主腔室。
10.根據權利要求1所述的加熱腔室,其特征在于,所述主腔室內的底部設置有工件夾具,所述工件夾具用于固定所述工件并使所述工件為豎直狀態。
11.根據權利要求10所述的加熱腔室,其特征在于,所述工件夾具上設置有多個卡槽。
12.根據權利要求1至11中任意一項所述的加熱腔室,其特征在于,所述加熱腔室還包括用于將所述主腔室和熱源腔室固定連接的連接件。
13.根據權利要求1至11中任意一項所述的加熱腔室,其特征在于,所述熱源腔室內設置有測溫儀,所述測溫儀用于測量所述工件的溫度。
14.根據權利要求1至11中任意一項所述的加熱腔室,其特征在于,所述主腔室與外部腔室選擇性的連通。
15.根據權利要求1至11中任意一項所述的加熱腔室,其特征在于,所述熱源腔室的側壁設置有冷卻水路,所述冷卻水路用于冷卻所述熱源腔室的側壁。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





